[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110325422.2
• 申請日: 2011-10-24
• 公開（公告）號: CN102456844A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發(fā)明（設計）人: 成昌濟;金禾景;申政均;甘潤錫
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

1.一種有機發(fā)光二級管，所述二極管包含：

基片上的第一電極；

所述第一電極上的空穴傳輸層；

所述空穴傳輸層上的發(fā)光材料層；

處于所述發(fā)光材料層上并摻雜有金屬的電子傳輸層；

所述電子傳輸層上的第二電極；以及

所述電子傳輸層和所述第二電極之間的緩沖層，所述緩沖層使用了含有經取代或未經取代的雜原子的三亞苯基骨架的有機材料，或者使用了經取代或未經取代的吡嗪并喹喔啉衍生化合物。

2.如權利要求1所述的二極管，所述二極管還包含封端層，所述封端層處在所述第二電極上并增大光學相長干涉。

3.如權利要求2所述的二極管，其中，所述封端層使用了Alq3。

4.如權利要求1所述的二極管，其中，所述電子傳輸層使用了Alq3、BCP和bphen中的一種，并摻雜有約1％～約10％的鋰(Li)、銫(Cs)和鋁(Al)中的一種。

5.如權利要求1所述的二極管，其中，所述緩沖層使用了1，4，5，8，9，12-六氮雜三亞苯基-2，3，6，7，10，11-六碳氮化物。

6.如權利要求1所述的二極管，其中，所述緩沖層具有約～約的厚度，并具有約3.5eV～約5.5eV的LUMO能級。

7.如權利要求1所述的二極管，所述二極管還包含空穴注入層，所述空穴注入層在所述第一電極和所述空穴傳輸層之間。

8.如權利要求1所述的二極管，其中，從所述發(fā)光材料層發(fā)出的光輻射透過所述第一電極或所述第二電極，或者透過所述第一電極和所述第二電極。

9.一種制造有機發(fā)光二極管的方法，所述方法包括：

在基片上形成第一電極；

在所述第一電極上形成空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光材料層；

在所述發(fā)光材料層上形成摻雜有金屬的電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上形成緩沖層并降低能量勢壘；以及

在所述緩沖層上形成第二電極。

10.如權利要求9所述的方法，所述方法還包括，在所述第二電極上形成封端層。