[發(fā)明專利]屏蔽式絕緣本體、屏蔽式連接器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110324436.2
• 申請日: 2011-10-24
• 公開（公告）號: CN102509958A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發(fā)明（設計）人: 朱德祥
• 申請（專利權）人: 番禺得意精密電子工業(yè)有限公司
• 主分類號: H01R13/648
• 分類號: H01R13/648;H01R13/46;H01R43/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及屏蔽式絕緣本體、屏蔽式連接器以及屏蔽式連接器的制造方法。

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背景技術

在計算機技術迅猛發(fā)展的現代社會，計算機中傳輸信號的速度跟頻率越來越高，其處理的數據量也越來越大，為此，計算機中電連接器傳遞數據的能力也需要相應提升，而這一功能通常是通過大幅度增加端子數量來實現的。

在端子呈矩陣排列的高密度電連接器如CPU?Socket中，由于各端子間排布緊密，電連接器傳輸頻率成分很高的信號過程中，兩相鄰端子傳輸的信號間發(fā)生電磁耦合，會影響到彼此的信號大小，亦即端子間容易發(fā)生串音現象，這種信號干擾隨著電連接器的端子布局密度增加而益顯嚴重。

為解決此問題，通常的做法是在電連接器上設置金屬屏蔽體于各端子間，如中國專利CN201110008732.1中公開了一種屏蔽式連接器的制造方法，包括如下步驟：射出成型一絕緣本體，使其具多個收容槽，以及至少二定位結構；向所述收容槽內鍍設導電層形成屏蔽層，以及于所述絕緣本體的底面鍍設導電層形成相連的導接層和導出層，且所述導接層和所述屏蔽層相連；組裝二擋塊于所述絕緣本體上，所述擋塊具配合結構與所述定位結構配合定位，以及一頭部遮蔽部分所述導電層；向所述屏蔽層和所述導接層噴灑絕緣物質，分別于所述屏蔽層和所述導接層上形成隔離層和間隔層；去除所述擋塊，裸露未布設所述絕緣物質的所述導出層；沖壓成型多個導電端子；組裝所述導電端子于所述收容槽中。該制造方法所制得的電連接器，收容槽的內表面形成有屏蔽層，絕緣本體的底面形成有導接層與所述屏蔽層連接，屏蔽層外還形成有隔離層以電性絕緣導電端子和屏蔽層，導接層外還設有間隔層用以電性絕緣絕緣本體底面與外界。

這種電連接器由于是先向所述收容槽內鍍設導電層形成屏蔽層，以及于所述絕緣本體的底面鍍設導電層形成相連的導接層和導出層，再向所述屏蔽層和所述導接層噴灑絕緣物質，因而需要在絕緣本體底面設置定位結構與擋塊配合，以遮蔽部分導電層，容易使得定位結構與擋塊配合的尺寸精度難以控制，導致加工工藝復雜；且由于絕緣本體的底面在設置了導接層以后還需要噴灑絕緣物質形成所述間隔層，因而使得其制造方法中需要進行組裝擋塊和去除擋塊兩個步驟，因而導致加工步驟繁瑣，增加了生產成本。?

為此，有必要設計一種新的屏蔽式絕緣本體、屏蔽式連接器以及屏蔽式連接器的制造方法以解決上述問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種加工工藝簡單的屏蔽式連接器的制造方法，該方法所制得的屏蔽式連接器具有良好屏蔽效果，可有效改善端子間串音，且結構簡單。

為實現上述目的，本發(fā)明采用以下技術方案：

一種絕緣本體，其具有相對設置的一頂面和一底面，包括：多個通孔，貫穿所述頂面和所述底面，每一所述通孔具有一壁面連通所述頂面和所述底面；一第一絕緣層，披覆于所述頂面且曝露于空氣中；一第一金屬層，披覆于所述底面且曝露于空氣中；一第二金屬層，覆設于所述壁面；以及一第二絕緣層，設置于所述壁面且覆蓋所述第二金屬層。

進一步，所述第一絕緣層與所述第二絕緣層連通。

進一步，所述第一金屬層與所述第二金屬層連通。

優(yōu)選地，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層為二氧化硅層。

所述第一金屬層、所述第二金屬層為銅層或鋁層。

可選地，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層為絕緣漆層。

本發(fā)明也可以采用以下技術方案：一種屏蔽式連接器，包括：一絕緣本體，其具有相對設置的一頂面和一底面，所述絕緣本體包括多個通孔，貫穿所述頂面和所述底面，每一所述通孔具有一壁面連通所述頂面和所述底面；一第一絕緣層，披覆于所述頂面且曝露于空氣中；一第一金屬層，披覆于所述底面且曝露于空氣中；一第二金屬層，覆設于所述壁面；以及一第二絕緣層，設置于所述壁面且覆蓋所述第二金屬層；多個端子，對應容設于多個所述通孔內。

每一所述端子下方對應固設有一焊料。

進一步，所述絕緣本體一側設有一電路板，所述電路板具有一上表面鄰近所述底面，于所述上表面設有多個接觸點與所述焊料相對應連接，以及多個錫塊與所述第一金屬層電性連接。

進一步，多個所述通孔于所述絕緣本體呈矩陣排列，多個所述接觸點對應呈矩陣排列。

進一步，于所述上表面間隔幾排所述接觸點設置有一所述錫塊。

優(yōu)選的是，每一所述接觸點周圍對應設有所述四錫塊，所述四錫塊的連線為一矩形。

進一步，所述接觸點位于所述矩形的中心。