[發(fā)明專利]屏蔽式絕緣本體、屏蔽式連接器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110324436.2
• 申請日: 2011-10-24
• 公開（公告）號: CN102509958A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱德祥
• 申請（專利權(quán)）人: 番禺得意精密電子工業(yè)有限公司
• 主分類號: H01R13/648
• 分類號: H01R13/648;H01R13/46;H01R43/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種絕緣本體，其具有相對設(shè)置的一頂面和一底面，其特征在于，包括：

多個通孔，貫穿所述頂面和所述底面，每一所述通孔具有一壁面連通所述頂面和所述底面；

一第一絕緣層，披覆于所述頂面且曝露于空氣中；

一第一金屬層，披覆于所述底面且曝露于空氣中；

一第二金屬層，覆設(shè)于所述壁面；以及

一第二絕緣層，設(shè)置于所述壁面且覆蓋所述第二金屬層。

2.如權(quán)利要求1所述的絕緣本體，其特征在于：所述第一絕緣層與所述第二絕緣層連通。

3.如權(quán)利要求1所述的絕緣本體，其特征在于：所述第一金屬層與所述第二金屬層連通。

4.如權(quán)利要求1所述的絕緣本體，其特征在于：所述第一絕緣層、所述第二絕緣層為二氧化硅層。

5.如權(quán)利要求1所述的絕緣本體，其特征在于：所述第一金屬層、所述第二金屬層為銅層或鋁層。

6.如權(quán)利要求1所述的絕緣本體，其特征在于：所述第一絕緣層、所述第二絕緣層為絕緣漆層。

7.一種屏蔽式連接器，其特征在于，包括：

一絕緣本體，其具有相對設(shè)置的一頂面和一底面，所述絕緣本體包括多個通孔，貫穿所述頂面和所述底面，每一所述通孔具有一壁面連通所述頂面和所述底面；一第一絕緣層，披覆于所述頂面且曝露于空氣中；一第一金屬層，披覆于所述底面且曝露于空氣中；一第二金屬層，覆設(shè)于所述壁面；以及一第二絕緣層，設(shè)置于所述壁面且覆蓋所述第二金屬層；

多個端子，對應(yīng)容設(shè)于多個所述通孔內(nèi)。

8.如權(quán)利要求7所述的屏蔽式連接器，其特征在于：每一所述端子下方對應(yīng)固設(shè)有一焊料。

9.如權(quán)利要求7所述的屏蔽式連接器，其特征在于：所述絕緣本體一側(cè)設(shè)有一電路板，所述電路板具有一上表面鄰近所述底面，于所述上表面設(shè)有多個接觸點與所述焊料相對應(yīng)連接，以及多個錫塊與所述第一金屬層電性連接。

10.如權(quán)利要求9所述的屏蔽式連接器，其特征在于：多個所述通孔于所述絕緣本體呈矩陣排列，多個所述接觸點對應(yīng)呈矩陣排列。

11.如權(quán)利要求9所述的屏蔽式連接器，其特征在于：于所述上表面間隔幾排所述接觸點設(shè)置有一所述錫塊。

12.如權(quán)利要求9所述的屏蔽式連接器，其特征在于：每一所述接觸點周圍對應(yīng)設(shè)有所述四錫塊，所述四錫塊的連線為一矩形。

13.如權(quán)利要求12所述的屏蔽式連接器，其特征在于：所述接觸點位于所述矩形的中心。

14.一種屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步，射出成型一絕緣本體，所述絕緣本體具有相對設(shè)置的一頂面和一底面，以及多個通孔貫穿所述頂面和所述底面；

第二步，自所述底面向所述頂面的方向設(shè)置一層金屬材料，使得所述底面和所述通孔的壁面均被所述金屬材料覆蓋；

第三步，自所述頂面向所述底面的方向設(shè)置一層絕緣材料，使得所述頂面和所述通孔的壁面均被所述絕緣材料覆蓋，且所述通孔內(nèi)的所述金屬材料被所述絕緣材料遮覆；

第四步，將多個端子對應(yīng)插入多個所述通孔中。

15.如權(quán)利要求14所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于：第五步，將多個焊料對應(yīng)植入多個所述通孔中且固設(shè)于所述端子下方。

16.如權(quán)利要求14所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于：第二步中，所述金屬材料以真空濺鍍的方式設(shè)于相應(yīng)位置。

17.如權(quán)利要求14所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于：第三步中，所述絕緣材料以真空濺鍍的方式設(shè)于相應(yīng)位置。

18.如權(quán)利要求14所述的屏蔽式連接器的制造方法，其特征在于：第三步中，所述絕緣材料以噴涂的方式設(shè)于相應(yīng)位置。