[發(fā)明專利]高抗折強度半導(dǎo)體晶元改良結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110322396.8
• 申請日: 2011-10-21
• 公開（公告）號: CN103066026A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 花長煌
• 申請（專利權(quán)）人: 穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;B28D5/00;H01L21/304
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種提升半導(dǎo)體晶片抗折強度的改良結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤指一種無需事先在基板的背面蝕刻出街道狀光罩凹槽，而是先將基板研磨至100μm以下，再于基板的背面鍍上一層金屬層，通過運用本發(fā)明的特殊切割方式，可平整切割晶元，既可節(jié)省機臺使用，減少將近一半的制程的時間，節(jié)省材料的使用，增加切割后單晶片的散熱效率，并大幅增強晶片的抗折強度的高抗折強度半導(dǎo)體晶元改良結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

圖1A是已完成集成電路制作的晶元的基板背面及正面的示意圖。其中圖1A的右半部圖是已完成集成電路制作的晶元的正面的示意圖，其中包括一基板101，于該基板101上設(shè)置有一主動層103，其中該主動層103則是包括了已制作完成的至少一集成電路。如圖1A的右半部圖中所示，每一黑色區(qū)塊都為一獨立的集成電路。而圖1A的左半部圖是已完成集成電路制作的晶元的背面的示意圖。在集成電路制作完成之后，需將該基板101切割成個別獨立的單晶片，使每一單晶片包含有一獨立的集成電路。在此之前，需要在該基板101的背部鍍上一層金屬層，以作為稍后做晶片封裝粘結(jié)時，提供較佳的接合強度，并增強晶片的抗折強度。但若是直接在該基板101的背面鍍上一層金屬層，依傳統(tǒng)切割基板的技術(shù)，在切割的過程當中，很容易使得該基板101背面的金屬層的碎屑被到處噴濺或是經(jīng)由附著在砂輪上而被沾粘到切割道的側(cè)壁，甚至金屬的碎屑會沾粘到該主動層103的集成電路上，如此一來會破壞該主動層103的集成電路的正常工作。

故現(xiàn)有技術(shù)，如圖1B所示，是一現(xiàn)有技術(shù)在基板背面形成金屬薄膜、金屬層及光阻后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在完成集成電路制作之后，會先將該基板101背面加以研磨，研磨至該基板101厚度約為100μm左右。再于該基板101背面依序形成一金屬粘著薄膜105、一金屬層107及一光阻層109。之后，如圖1C所示，是一現(xiàn)有技術(shù)在基板背面蝕刻出街道狀光阻層凹槽的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。先對該光阻層109蝕刻，而蝕刻出街道狀光阻層凹槽111。再如圖1D所示，是一現(xiàn)有技術(shù)在基板背面蝕刻出街道狀金屬層凹槽的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。對該金屬層107以及該金屬粘著薄膜105加以蝕刻，而蝕刻出街道狀金屬層凹槽113。接著，再如圖1E所示，是一現(xiàn)有技術(shù)在基板背面去除光阻層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

此時，再如圖1F所示，是一現(xiàn)有技術(shù)切割基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。將該基板101沿著該街道狀金屬層凹槽113的中心加以切割，形成街道狀的切割道115。該切割道115的寬度會比該街道狀金屬層凹槽113來的窄一點，如此可避免破壞到該金屬層107及該金屬粘著薄膜105。切割完成之后，形成一片片個別獨立的單晶片，如圖1G所示，是一現(xiàn)有技術(shù)基板切割后的單晶片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。但因該切割道115的寬度會比該街道狀金屬層凹槽113來的窄一點，故切割的后該街道狀金屬層凹槽113兩旁會有部分不會被切割到，是邊緣殘留凹槽117。在該邊緣殘留凹槽117處有該基板101與該金屬粘著薄膜105及該金屬層107的交界處。當在蝕刻該街道狀金屬層凹槽113時，該基板101與該金屬粘著薄膜105及該金屬層107的交界處并無法形成非常平整的介面，因此有時會從該基板101與該金屬粘著薄膜105及該金屬層107的交界處產(chǎn)生一些裂痕或是較易產(chǎn)生破碎的現(xiàn)象，因此該單晶片的抗折強度常常因此顯得不足，造成該單晶片容易損毀。

有鑒于此，本發(fā)明為了改善上述的缺點，本發(fā)明的發(fā)明人提出了高抗折強度半導(dǎo)體晶元改良結(jié)構(gòu)及其制造方法，此改良結(jié)構(gòu)與其制造方法不但可以更有效增強晶片的抗折強度，于此同時又可以改善晶片的導(dǎo)熱效果，還可以節(jié)省材料，以及減少生產(chǎn)機臺使用的時間，大幅減少生產(chǎn)的成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種高抗折強度半導(dǎo)體晶元改良結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中于一基板的背面，直接鍍上一整片的金屬層，不需要如背景技術(shù)事先在該基板的背面蝕刻出一街道狀光罩凹槽，如此既可省去許多生產(chǎn)機臺的使用，又可以節(jié)省制程將近一半的時間，可大幅降低生產(chǎn)的成本。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種高抗折強度半導(dǎo)體晶元改良結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中在一基板的背面鍍上一整片的金屬層之前，可先將該基板的背面加以研磨，可將該基板研磨至50μm以下的厚度，如此一來，若要在該基板上做其他鉆孔、干蝕刻或是其他的加工，可以大幅減少加工上所需的時間，減少加工機臺的使用以及降低加工工具的耗損，如此可大幅降低生產(chǎn)的成本。