[發明專利]高抗折強度半導體晶元改良結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201110322396.8
• 申請日: 2011-10-21
• 公開（公告）號: CN103066026A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 花長煌
• 申請（專利權）人: 穩懋半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;B28D5/00;H01L21/304
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種高抗折強度半導體晶元改良結構，其特征在于，其主要結構包括有：

一基板；

一主動層，形成于該基板正面，且該主動層包含有至少一集成電路；以及

一金屬層，形成于該基板背面，且該金屬層完整覆蓋住該基板背面相對于該主動層的集成電路的區域。

2.根據權利要求1所述的高抗折強度半導體晶元改良結構，其特征在于：該金屬層的面積大于或等于該主動層的集成電路的面積。

3.根據權利要求1所述的高抗折強度半導體晶元改良結構，其特征在于：該基板厚度大于10μm小于200μm。

4.根據權利要求1所述的高抗折強度半導體晶元改良結構，其特征在于：該金屬層能夠完整覆蓋住該基板的背面。

5.根據權利要求1所述的高抗折強度半導體晶元改良結構，其特征在于：該金屬層厚度大于0.1μm小于50μm。

6.根據權利要求1所述的高抗折強度半導體晶元改良結構，其特征在于：該基板為砷化鎵或磷化銦。

7.根據權利要求1所述的高抗折強度半導體晶元改良結構，其特征在于：該金屬層為金屬材料或金屬材料的合金。

8.根據權利要求7所述的高抗折強度半導體晶元改良結構，其特征在于：該金屬材料為金或銅。

9.根據權利要求1所述的高抗折強度半導體晶元改良結構，其特征在于：用蒸鍍、分子束磊晶、電鍍或濺鍍方式，將該金屬層形成于該基板的背面。

10.一種高抗折強度半導體單晶片，其特征在于，其主要結構包括有：

一基板；

一主動層，形成于該基板正面，且該主動層包含有至少一集成電路；以及

一金屬層，形成于該基板背面，且該金屬層完整覆蓋住該基板的背面。

11.根據權利要求10所述的高抗折強度半導體單晶片，其特征在于：該金屬層的面積大于或等于該基板的面積。

12.根據權利要求10所述的高抗折強度半導體單晶片，其特征在于：該基板厚度大于10μm小于200μm。

13.根據權利要求10所述的高抗折強度半導體單晶片，其特征在于：該金屬層厚度大于0.1μm小于50μm。

14.根據權利要求10所述的高抗折強度半導體單晶片，其特征在于：該基板為砷化鎵或磷化銦。

15.根據權利要求10所述的高抗折強度半導體單晶片，其特征在于：該金屬層為金屬材料或金屬材料的合金。

16.根據權利要求15所述的高抗折強度半導體單晶片，其特征在于：該金屬材料為金或銅。

17.根據權利要求10所述的高抗折強度半導體單晶片，其特征在于：用蒸鍍、分子束磊晶、電鍍或濺鍍方式，將該金屬層形成于該基板的背面。

18.一種高抗折強度半導體晶元改良結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

在一基板正面，形成一主動層，且該主動層包含有至少一集成電路；

在該基板的背面形成一金屬層，且該金屬層完整覆蓋住該基板背面相對于該主動層的集成電路的區域；以及

將該高抗折強度半導體晶元以特殊的方式切割，可切割成至少一高抗折強度半導體單晶片，且在切割完畢之后，該高抗折強度半導體單晶片背面的金屬層完整覆蓋住該高抗折強度半導體單晶片基板的背面。

19.根據權利要求18所述的制造方法，其特征在于：該高抗折強度半導體單晶片背面的金屬層的面積大于或等于該高抗折強度半導體單晶片的基板的面積。

20.根據權利要求18所述的制造方法，其特征在于：該金屬層的面積大于或等于該主動層的集成電路的面積。

21.根據權利要求18所述的制造方法，其特征在于：在該基板的背面形成該金屬層之前，先將該基板的背面加以研磨。

22.根據權利要求21所述的制造方法，其特征在于：該基板厚度大于10μm小于200μm。

23.根據權利要求18所述的制造方法，其特征在于：該金屬層完整覆蓋住該基板的背面。