[發明專利]一種預防多晶硅層圖形倒塌的方法無效
| 申請號: | 201110322337.0 | 申請日: | 2011-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN102446746A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | 王劍;毛智彪;戴韞青 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/3105 | 分類號: | H01L21/3105;H01L21/312 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 預防 多晶 圖形 倒塌 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體集成電路及其制造領域,尤其涉及一種預防多晶硅層圖形倒塌的方法。
背景技術
隨著半導體性能要求的不斷提高,集成電路芯片的尺寸也越來越小,光刻工藝逐漸成為芯片制造中核心的工序。通常在一個完整的芯片制造工藝中,需要進行多次光刻工序,如在一個完整的45納米工藝芯片制造工藝中,視性能要求的不同大約需要40至60次光刻工序;而隨著器件尺寸的縮小,光刻的圖形也相應不斷縮小,光阻的厚度及光刻完成后的尺寸也越來越小;當芯片生產工藝從微米級到目前最先進的15納米工藝時,光刻所使用的波長也在隨著芯片工藝的進步不斷縮小,已經從汞的I、G系線發展到紫外區域的193nm紫外線、極紫外線EUV、乃至電子束;即光刻已經成為一項精密加工技術。
圖1是本發明背景技術中防反射層的厚度與其反射率曲線關系的示意圖;其中,縱軸表示基體反射率(substrate?reflectivity),橫軸表示基體厚度(thickness?process?),厚度單位為nm。圖2是本發明背景技術中采用傳統工藝產生多晶硅(poly)層圖形倒塌的結構示意圖。
半導體芯片制造中,使用光刻機(scanner)曝光來定義電路圖形,曝光之前需要涂布光阻和防反射層(BARC),在曝光過程中,防反射層會吸收光的反射,減少光對圖形的干涉;如圖1所示,防反射層的不同厚度對應不同的反射率,且防反射層的反射率越低,對圖形的定義越好。在曝光多晶硅(poly)層的圖形時,如圖2所示,在有源區(Active)11和淺溝槽隔離區(STI)12上淀積多晶硅層13后,涂布防反射層(BARC)14,由于多晶硅層13覆蓋有不同的襯底,即有源區(Active)11和淺溝槽隔離區(STI)12,所以淺溝槽隔離區(STI)12上的防反射層(BARC)14厚度比有源區(Active)11上的防反射層(BARC)14厚度小,造成防反射層(BARC)14反射率增大,從而導致淺溝槽隔離區(STI)12上的圖形15由于光學干涉而使其線條變細倒塌。
發明內容
本發明公開了一種預防多晶硅層圖形倒塌的方法,其中,包括以下步驟:
步驟S1:在一包含有有源區和淺溝槽隔離區的襯底上淀積多晶硅層,該多晶硅層覆蓋有源區和淺溝槽隔離區;
步驟S2:于多晶硅層上制備平坦化層。
上述的預防多晶硅層圖形倒塌的方法,其中,還包括步驟S3:涂布防反射層覆蓋平坦化層后,繼續光刻工藝。
上述的預防多晶硅層圖形倒塌的方法,其中,步驟S2中采用光阻涂布機噴涂形成平坦化層。
上述的預防多晶硅層圖形倒塌的方法,其中,平坦化層的材質為具有較高平坦化的有機聚合物。
上述的預防多晶硅層圖形倒塌的方法,其中,平坦化層的厚度至少為50nm。
上述的預防多晶硅層圖形倒塌的方法,其中,平坦化層的上表面在同一水平面上。
綜上所述,由于采用了上述技術方案,本發明提出一種預防多晶硅層圖形倒塌的方法,通過在多晶硅層上設置平坦化層,使得有源區和淺溝槽隔離區上的防反射層厚度均勻,從而有效避免由于防反射層厚度不均造成的反射率變化,以致后續光刻定義圖形的倒塌。
附圖說明
圖1是本發明背景技術中防反射層的厚度與其反射率曲線關系的示意圖;
圖2是本發明背景技術中采用傳統工藝產生多晶硅(poly)層圖形倒塌的結構示意圖;
圖3是本發明預防多晶硅層圖形倒塌的方法的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明的具體實施方式作進一步的說明:
圖3是本發明預防多晶硅層圖形倒塌的方法的結構示意圖。如圖3所示,本發明一種預防多晶硅層圖形倒塌的方法:
在55nm工藝中,首先,在包含有有源區21和淺溝槽隔離區22的基底2上淀積多晶硅層23,?其中,多晶硅層23覆蓋有源區21和淺溝槽隔離區22;由于有源區21的厚度小于淺溝槽隔離區22的厚度,造成覆蓋其上的多晶硅層23形成于淺溝槽隔離區22上形成一定的凸起。
然后,通過使用光阻涂布機噴涂材質為具有較高平坦化的有機聚合物,覆蓋多晶硅層23形成厚度至少為50nm的平坦化層24,并使得平坦化層24的上表面在同一水平面上,以填平由于有源區21和淺溝槽隔離區22厚度不同造成的多晶硅層23的凸起。
最后,涂布防反射層25覆蓋平坦處24,由于平坦處24的上表面為一水平面,所以防反射層25的厚度較為均勻,使得后續進行的光刻工藝定義的圖形26符合工藝的要求,不至于坍塌。
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