[發明專利]一種預防多晶硅層圖形倒塌的方法無效
| 申請號： | 201110322337.0 | 申請日： | 2011-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN102446746A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發明（設計）人： | 王劍;毛智彪;戴韞青 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3105 | 分類號： | H01L21/3105;H01L21/312 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 預防 多晶 圖形 倒塌 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種預防多晶硅層圖形倒塌的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1：在一包含有有源區和淺溝槽隔離區的襯底上淀積多晶硅層，該多晶硅層覆蓋有源區和淺溝槽隔離區；
步驟S2：于多晶硅層上制備平坦化層。
2.根據權利要求1所述的預防多晶硅層圖形倒塌的方法，其特征在于，還包括步驟S3：涂布防反射層覆蓋平坦化層后，繼續光刻工藝。
3.根據權利要求1所述的預防多晶硅層圖形倒塌的方法，其特征在于，步驟S2中采用光阻涂布機噴涂形成平坦化層。
4.根據權利要求1或3所述的預防多晶硅層圖形倒塌的方法，其特征在于，平坦化層的材質為具有較高平坦化的有機聚合物。
5.根據權利要求1或3所述的預防多晶硅層圖形倒塌的方法，其特征在于，平坦化層的厚度至少為50nm。
6.根據權利要求1或3所述的預防多晶硅層圖形倒塌的方法，其特征在于，平坦化層的上表面在同一水平面上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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