[發(fā)明專利]一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110322329.6
• 申請日: 2011-10-21
• 公開（公告）號: CN102445864A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏芳;闞歡
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的冗余圖形填充方法，尤其是一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的冗余圖形填充方法。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有的集成電路制造工藝中，為了提高化學(xué)機械研磨及刻蝕工藝的均一性，通常會在0.25微米以下的工藝需要化學(xué)機械研磨或刻蝕的層中，加入冗余圖形。一種常用的冗余圖形式樣是矩形方塊的陣列，而這種圖形與某些光刻機的粗對準(zhǔn)標(biāo)記圖形有很高的相似度。當(dāng)光刻機的預(yù)對準(zhǔn)精度較差時，粗對準(zhǔn)標(biāo)記附近的冗余圖形很容易被認(rèn)作是粗對準(zhǔn)標(biāo)記或干擾到粗對準(zhǔn)標(biāo)記的信號，從而導(dǎo)致硅片光刻對準(zhǔn)失敗。

如圖1所示，光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記1與周圍的冗余圖形2非常相似，致使光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記附近有很強的干擾信號如圖2所示，易造成對準(zhǔn)信號誤認(rèn)，進而導(dǎo)致硅片光刻對準(zhǔn)失敗。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有的冗余圖形填充過程中存在的問題，本發(fā)明提供一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的冗余圖形填充方法。

本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為：

一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，于一包含光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的預(yù)定層中加入冗余圖形，且使靠近所述光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記的所述冗余圖形相互錯開。

上述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，所述預(yù)定層為需要化學(xué)機械研磨的層或者需要刻蝕的層。

上述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，所述冗余圖形為矩形方塊陣列。

上述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記的所述冗余圖形為距所述光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記距離小于10um-500um的冗余圖形。

上述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯開水平距離為1nm-5000nm。

上述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯開垂直距離為1nm-5000nm。

上述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形與所述光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記水平距離小于等于100um，垂直距離小于等于100um，所述靠近所述光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯開水平距離0.2um，靠近所述光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯開垂直距離0.2um。

本發(fā)明的有益效果是：

在硅片光刻粗對準(zhǔn)時，使冗余圖形的信號與光刻對準(zhǔn)標(biāo)記有明顯的區(qū)別，從而使其不能被光刻機誤認(rèn)為粗對準(zhǔn)標(biāo)記或干擾粗對準(zhǔn)標(biāo)記的信號，以降低光刻對準(zhǔn)的失效率。

附圖說明

圖1是本現(xiàn)有的冗余圖形填充方法填充完后光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記附近冗余圖形的樣式；

圖2是現(xiàn)有的冗余圖形填充方法填充完后光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記的信號；

圖3是本發(fā)明一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法的冗余圖形填充方法填充完后光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記附近冗余圖形的樣式；

圖4是本發(fā)明一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法的冗余圖形填充方法填充完后光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記的信號。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。

如圖3所示本發(fā)明一種降低光刻對準(zhǔn)失效率地方法，包括：于一包含光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記1的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的預(yù)定層中加入冗余圖形2，且使靠近光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記1的冗余圖形2彼此之間相互錯開。其中預(yù)定層為需要化學(xué)機械研磨的層或者需要刻蝕的層，加入的冗余圖形2為矩形方塊陣列，靠近光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記1的冗余圖形2是指距光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記1距離小于10um-500um的冗余圖形2。

進一步的，靠近光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記1的冗余圖形2相互錯開水平距離在1nm-5000nm的范圍內(nèi)，垂直距離在1nm-5000nm的范圍內(nèi)。

為了使硅片光刻粗對準(zhǔn)時，冗余圖形2的信號與光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記1有明顯的區(qū)別，在填充冗余圖形2時，將光刻機粗準(zhǔn)標(biāo)記2附近的矩形冗余圖形2錯開放置，可以有效降低光刻機粗對準(zhǔn)的誤認(rèn)，從而降低光刻對準(zhǔn)失效率。

在上述此基礎(chǔ)上，本發(fā)明可以通過以下較佳的方式實施：

其中，靠近光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記1的冗余圖形2與光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記1水平距離小于等于100um，垂直距離小于等于100um，靠近光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記1的冗余圖形2彼此間相互錯開水平距離0.2um，垂直距離0.2um。

如圖4所示，以上述較佳的方式實施的冗余圖形2的填充方法使光刻機粗對準(zhǔn)標(biāo)記1附近無其他干擾信號，降低了對準(zhǔn)信號誤認(rèn)的可能。

以上所述僅為本發(fā)明較佳的實施例，并非因此限制本發(fā)明的申請專利范圍，所以凡運用本發(fā)明說明書及圖示內(nèi)容所作出的等效結(jié)構(gòu)變化、利用公知的與本發(fā)明中提到具等同作用的物質(zhì)進行代替，利用公知的與本發(fā)明中提到的手段方法具等同作用的手段方法進行替換，所得到的實施方式或者實施結(jié)果均包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。