[發明專利]一種降低光刻對準失效率的方法無效
| 申請號： | 201110322329.6 | 申請日： | 2011-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN102445864A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發明（設計）人： | 魏芳;闞歡 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F9/00 | 分類號： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 光刻 對準 失效 方法 | ||
1.一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，于一包含光刻機粗對準標記的多層復合結構的預定層中加入冗余圖形，且使靠近所述光刻機粗對準標記的所述冗余圖形相互錯開。
2.如權利要求1所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述預定層為需要化學機械研磨的層或者需要刻蝕的層。
3.如權利要求1所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述冗余圖形為矩形方塊陣列。
4.如權利要求1所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的所述冗余圖形為距所述光刻機粗對準標記距離小于10um-500um的冗余圖形。
5.如權利要求1所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開水平距離為1nm-5000nm。
6.如權利要求1所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開垂直距離為1nm-5000nm。
7.如權利要求2所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述冗余圖形為矩形方塊陣列。
8.如權利要求7所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的所述冗余圖形為距所述光刻機粗對準標記距離小于10um-500um的冗余圖形。
9.如權利要求8所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開水平距離為1nm-5000nm。
10.如權利要求9所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開垂直距離為1nm-5000nm。
11.如權利要求1-10所述一種降低光刻對準失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形與所述光刻機粗對準標記水平距離小于等于100um，垂直距離小于等于100um，所述靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開水平距離0.2um，靠近所述光刻機粗對準標記的冗余圖形相互錯開垂直距離0.2um。
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