[發明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法、顯示器件

無效

• 申請號: 201110321933.7
• 申請日: 2011-10-20
• 公開（公告）號: CN102629054A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 劉翔;薛建設
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種TFT陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

形成于所述陣列基板表面的至少一個反射區域，其中，所述反射區域包括上表面形成有不規則凸起的反射層、以及在所述反射層的所述不規則凸起上形成的反射面。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述反射層為所述陣列基板的鈍化層或柵極絕緣層。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，當所述反射層為所述陣列基板的鈍化層時，所述反射面由源漏金屬層形成；當所述反射層為所述陣列基板的柵極絕緣層時，所述反射面由柵金屬層形成。

4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，當所述反射層為所述陣列基板的鈍化層時，所述陣列基板中的TFT為底柵結構；當所述反射層為所述陣列基板的柵極絕緣層時，所述陣列基板中的TFT為頂柵結構。

5.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板，其特征在于，通過曝光顯影在所述反射層的上表面形成所述不規則凸起。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

一基板；

一透明導電薄膜，設置在所述基板上，所述透明導電薄膜包括像素電極；

一柵金屬層，設置在所述透明導電薄膜上，所述柵金屬層包括：柵極掃描線和TFT的柵極，所述柵極和柵極掃描線連接成一體；

一柵極絕緣層、半導體層，依次層疊設置在所述柵金屬層上，其中，所述半導體層形成在所述柵極絕緣層上，完全覆蓋柵極上方并左右延伸至TFT的源漏極下方；

一鈍化層，設置在所述半導體層上，所述鈍化層作為所述反射層，其上表面形成有所述不規則凸起；

一源漏金屬層，設置在所述鈍化層上，所述源漏金屬層包括：數據掃描線、TFT的源極和漏極、以及所述反射面。

7.一種TFT陣列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括步驟：

在所述陣列基板表面的至少一個區域制備出上表面具有不規則凸起的反射層；

在所述反射層的所述不規則凸起上形成反射面。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法具體包括步驟：

以所述陣列基板表面上涂覆的鈍化層作為所述反射層，形成所述鈍化層的圖案的同時形成所述不規則凸起；

或者，以所述陣列基板表面上沉積的柵極絕緣層作為所述反射層，形成所述柵極絕緣層的圖案的同時形成所述不規則凸起。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，當以鈍化層作為所述反射層時，沉積所述陣列基板的源漏金屬層作為所述反射面的材料，形成所述陣列基板的源漏極布線圖案的同時得到所述反射面。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，當以鈍化層作為所述反射層時，所述方法采用TFT為底柵結構的陣列基板的制備工藝；當以柵極絕緣層作為所述反射層時，所述方法采用TFT為頂柵結構的陣列基板的制備工藝。

11.根據權利要求7-10任一項所述的方法，其特征在于，通過控制曝光量對所述至少一個區域的反射層進行曝光，顯影后在所述反射層的上表面形成所述不規則凸起。

12.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法包括步驟：

在基板上依次沉積透明導電薄膜和柵金屬層，通過光刻工藝在柵金屬層形成柵極掃描線和TFT的柵極、在透明導電薄膜形成像素電極；

在處理后的所述柵金屬層上依次沉積柵極絕緣層和半導體層，通過光刻工藝在所述半導體層形成半導體圖案；

在處理后的所述半導體層上涂覆鈍化層，通過光刻工藝在所述鈍化層上表面形成所述不規則凸起及鈍化層圖案；

在處理后的所述鈍化層上沉積源漏金屬層，通過光刻工藝在所述源漏金屬層形成數據掃描線、TFT的源極和漏極、以及所述反射面。

13.一種顯示器件，其特征在于包括根據權利要求1-6任一項所述的TFT陣列基板。