[發(fā)明專利]一種熒光粉的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110321578.3
• 申請(qǐng)日: 2011-10-13
• 公開（公告）號(hào): CN102352247A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝安;劉麗;楊偉藝;張志鵬;何仲全
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建富順電子有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/78
• 分類號(hào): C09K11/78;C09K11/79
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種熒光粉，其特征在于：該熒光粉的結(jié)構(gòu)式為L(zhǎng)iLa_2-xO₂B_1-ySi_yO₃:Eu_x，其中x選自0，0.05，0.1，0.3，0.4，0.5，0.7，0.9，1.0，1.5或2.0；y相對(duì)應(yīng)選自0，0.005，0.01，0.015，0.02，0.025或0.03。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光粉，其特征在于：該熒光粉分別被近紫外光(396nm)和藍(lán)光(466nm)有效激發(fā)，主發(fā)射峰值分別位于613和623nm的紅光，可用于近紫外發(fā)射的InGaN芯片激發(fā)三基色熒光粉系統(tǒng)或用來(lái)補(bǔ)充藍(lán)光芯片激發(fā)的黃色熒光粉系統(tǒng)缺少的紅色部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熒光粉，其特征在于：x＝0.4，y值為0.01。

4.一種制備如權(quán)利要求1-3任一所述的熒光粉的方法，其特征在于依次包括以下步驟：

①按化學(xué)計(jì)量比根據(jù)分子式稱取一定量的試劑：H₃BO₃(純度99.5wt％)、La₂O₃(純度99.99wt％)、Eu₂O₃(純度99.99wt％)、Li₂CO₃(純度97.0wt％)、SiO₂(純度98.297wt％)；

②將稱量好的試劑充分研磨均勻，混合均勻后，裝入陶瓷坩堝中；

③將樣品放入高溫實(shí)驗(yàn)爐中預(yù)燒，設(shè)定溫度300度，進(jìn)行保溫0.5-2小時(shí)；

④把步驟③所得樣品冷卻重新研磨，然后再放入高溫爐中鍛燒，設(shè)定溫度850-950度進(jìn)行保溫2-5小時(shí)；灼燒程序結(jié)束后，待樣品隨爐冷卻到室溫取出；

⑤把步驟④所得粉體再研磨過(guò)篩(200目)，即得到初選粉體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：將步驟⑤所得熒光粉置于蒸餾水中，水與粉體體積比為5-15∶1，用超聲波進(jìn)行分散處理5-15min，濾去上層清液，再加入蒸餾水，攪拌，超聲波分散5-15min，靜置，如此重復(fù)三次，至溶液呈電中性，然后把沉淀物即樣品取出，在80-100℃下干燥2-3h，即得目標(biāo)熒光粉。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟②中的將稱量好的試劑放在瑪瑙研缽中，研磨時(shí)間為20-60min。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟③中的在設(shè)定溫度300度下保溫1小時(shí)。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟④中的高溫爐中鍛燒，然后設(shè)定900度保溫3小時(shí)。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟⑤中的把步驟④所得粉體再研磨過(guò)200目篩，即得到目標(biāo)熒光粉初選粉體。