[發(fā)明專利]高純鉭靶材制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110321253.5
• 申請日: 2011-10-20
• 公開（公告）號: CN102367568A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚力軍;潘杰;王學(xué)澤;袁海軍
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波江豐電子材料有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;B22F3/16
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種高純鉭靶材制備方法，其特征在于，工藝步驟包括：

將鉭粉混合均勻；

將混合好的鉭粉裝入模具；

冷壓成型；

真空熱壓燒結(jié)。

2.如權(quán)利要求1所述的高純鉭靶材制備方法，其特征在于，在所述真空熱壓燒結(jié)后還包括實施停爐冷卻、脫模取料、機加工的工藝步驟。

3.如權(quán)利要求1所述的高純鉭靶材制備方法，其特征在于，所述鉭粉的純度為99.99％以上。

4.如權(quán)利要求1所述的高純鉭靶材制備方法，其特征在于，所述真空熱壓燒結(jié)時，真空度在1Pa以上，燒結(jié)溫度為1300-1800℃，燒結(jié)時間為5-8小時，壓力50MPa以上。

5.如權(quán)利要求4所述的高純鉭靶材制備方法，其特征在于，所述真空熱壓燒結(jié)完成后，停爐冷卻至200℃以下，泄壓取出所述模具。