[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及制造半導(dǎo)體裝置的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110319933.3
• 申請(qǐng)日: 2011-10-20
• 公開（公告）號(hào): CN102456699A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安西邦夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，形成在半導(dǎo)體基板上并且具有設(shè)定為預(yù)定雜質(zhì)濃度的第一柵極電極；以及

電荷調(diào)制器件，形成在該半導(dǎo)體基板上并且具有設(shè)定為預(yù)定雜質(zhì)濃度的第二柵極電極，該第二柵極電極的雜質(zhì)濃度低于該第一柵極電極的雜質(zhì)濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中

該第一柵極電極的雜質(zhì)濃度設(shè)定為使得產(chǎn)生在該第一柵極電極與第一柵極絕緣膜之間的界面處的第一耗盡層的電容不超過預(yù)定值，該第一柵極絕緣膜形成在該第一柵極電極與該半導(dǎo)體基板之間；并且

該第二柵極電極的雜質(zhì)濃度設(shè)定為使得產(chǎn)生在該第二柵極電極與第二柵極絕緣膜之間的界面處的第二耗盡層的電容超過該第一耗盡層的電容，該第二柵極絕緣膜形成在該第二柵極電極與該半導(dǎo)體基板之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中

該半導(dǎo)體基板具有像素區(qū)域和電路區(qū)域，該像素區(qū)域具有設(shè)置在其中的像素，該電路區(qū)域包括用于驅(qū)動(dòng)該像素的驅(qū)動(dòng)電路；

該電荷調(diào)制器件形成為該像素；并且

該MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成在該電路區(qū)域中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中對(duì)該第一柵極電極摻雜的雜質(zhì)與對(duì)該第二柵極電極摻雜的雜質(zhì)為相同的物質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一柵極電極和該第二柵極電極由相同的電極材料層形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中形成在該第一柵極電極與該半導(dǎo)體基板之間的第一柵極絕緣膜和形成在該第二柵極電極與該半導(dǎo)體基板之間的第二柵極絕緣膜由相同的絕緣膜材料層形成。

7.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括：

以雜質(zhì)摻雜由柵極電極的材料形成的電極材料層，該電極材料層形成在半導(dǎo)體基板上，該半導(dǎo)體基板具有包括MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一區(qū)域和包括電荷調(diào)制器件的第二區(qū)域，該摻雜采用的劑量與該電荷調(diào)制器件的柵極電極所設(shè)定的第一雜質(zhì)濃度相關(guān)聯(lián)；

采用掩蓋該第二區(qū)域被而不掩蓋該第一區(qū)域的掩模圖案形成掩模；以及

以如此形成的該掩模用該雜質(zhì)摻雜該電極材料層，該摻雜采用的劑量對(duì)應(yīng)于該第一雜質(zhì)濃度與該MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的該柵極電極所設(shè)定的第二雜質(zhì)濃度之間的差值。