[發明專利]半導體裝置以及制造半導體裝置的方法

無效

• 申請號: 201110319933.3
• 申請日: 2011-10-20
• 公開（公告）號: CN102456699A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 安西邦夫
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種半導體裝置，包括：

MOS型場效應晶體管，形成在半導體基板上并且具有設定為預定雜質濃度的第一柵極電極；以及

電荷調制器件，形成在該半導體基板上并且具有設定為預定雜質濃度的第二柵極電極，該第二柵極電極的雜質濃度低于該第一柵極電極的雜質濃度。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

該第一柵極電極的雜質濃度設定為使得產生在該第一柵極電極與第一柵極絕緣膜之間的界面處的第一耗盡層的電容不超過預定值，該第一柵極絕緣膜形成在該第一柵極電極與該半導體基板之間；并且

該第二柵極電極的雜質濃度設定為使得產生在該第二柵極電極與第二柵極絕緣膜之間的界面處的第二耗盡層的電容超過該第一耗盡層的電容，該第二柵極絕緣膜形成在該第二柵極電極與該半導體基板之間。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

該半導體基板具有像素區域和電路區域，該像素區域具有設置在其中的像素，該電路區域包括用于驅動該像素的驅動電路；

該電荷調制器件形成為該像素；并且

該MOS型場效應晶體管形成在該電路區域中。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中對該第一柵極電極摻雜的雜質與對該第二柵極電極摻雜的雜質為相同的物質。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一柵極電極和該第二柵極電極由相同的電極材料層形成。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中形成在該第一柵極電極與該半導體基板之間的第一柵極絕緣膜和形成在該第二柵極電極與該半導體基板之間的第二柵極絕緣膜由相同的絕緣膜材料層形成。

7.一種制造半導體裝置的方法，包括：

以雜質摻雜由柵極電極的材料形成的電極材料層，該電極材料層形成在半導體基板上，該半導體基板具有包括MOS型場效應晶體管的第一區域和包括電荷調制器件的第二區域，該摻雜采用的劑量與該電荷調制器件的柵極電極所設定的第一雜質濃度相關聯；

采用掩蓋該第二區域被而不掩蓋該第一區域的掩模圖案形成掩模；以及

以如此形成的該掩模用該雜質摻雜該電極材料層，該摻雜采用的劑量對應于該第一雜質濃度與該MOS型場效應晶體管的該柵極電極所設定的第二雜質濃度之間的差值。