[發(fā)明專利]陶瓷共燒四邊引線扁平外殼制作工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110319863.1 | 申請日: | 2011-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN102332407A | 公開(公告)日: | 2012-01-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張崤君;郭志偉 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120 | 代理人: | 米文智 |
| 地址: | 050051 *** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陶瓷 四邊 引線 扁平 外殼 制作 工藝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種制作工藝,尤其是一種陶瓷共燒四邊引線扁平外殼的制作工藝,適用于大規(guī)模集成電路芯片的封裝領(lǐng)域。
背景技術(shù)
高溫共燒陶瓷四邊引線外殼包括瓷件、引線、封口區(qū)、熱沉等,傳統(tǒng)的制作工藝是將引線釬焊到瓷件上,作為所封裝集成電路芯片的輸入、輸出端,然后交付用戶,由用戶進行芯片粘接、鍵合、封口等封裝工藝,之后用戶再根據(jù)要求進行引線的裁切以及打彎成型,在用戶對引線進行打彎成型過程中,極易造成瓷件碎裂、引線變形等缺陷,造成報廢。一般通過改進成型模具提高成型質(zhì)量,成本高且質(zhì)量不穩(wěn)定。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種將引線裁切、引線打彎工序提前到陶瓷共燒四邊引線扁平外殼制作階段,減小用戶進行引線打彎可能帶來的損傷,提高了用戶使用的方便性。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是:一種陶瓷共燒四邊引線扁平外殼制作工藝,其方法步驟如下:
(1)瓷件外殼主體制作:通過流延、沖孔、印刷、層壓、熱切和燒結(jié)工藝步驟制作瓷件外殼主體;
(2)平引線加工:通過刻蝕工藝加工平引線框架;
(3)釬焊:通過焊料將平引線和瓷件外殼主體焊接在一起;
(4)鍍金:在平引線和瓷件外殼主體上鍍一層金;
(5)引線保護:在平引線表面涂覆保護材料;
(6)引線裁切:將平引線四邊的連接部分裁去;
(7)引線打彎:采用專用模具,對裁切之后的平引線進行一次打彎成型。
(8)根據(jù)用戶需求進行芯片粘接、鍵合、封口。
經(jīng)上述步驟制成的陶瓷共燒四邊引線扁平外殼經(jīng)檢驗合格后交付用戶。
本發(fā)明的有益效果如下:本發(fā)明通過將傳統(tǒng)陶瓷共燒四邊引線扁平外殼制作工藝中的由用戶進行引線裁切和引線打彎的步驟提前到外殼制作階段,即在外殼生產(chǎn)過程中進行引線的打彎成型,解決了傳統(tǒng)工藝用戶操作復(fù)雜、成品率低、在引線打彎成型過程中容易造成報廢的缺點,提高了用戶使用的方便性。
具體實施方式
本發(fā)明所述的陶瓷共燒四邊引線扁平外殼制作工藝,其方法步驟如下:
(1)瓷件外殼主體制作:通過流延、沖孔、印刷、層壓、熱切和燒結(jié)等工藝步驟制作瓷件外殼主體;
(2)平引線加工:通過刻蝕工藝加工平引線框架,加工完成之后的引線處于平直狀態(tài);
(3)釬焊:通過焊料將平引線和瓷件焊接在一起;
(4)鍍金:為滿足用戶芯片安裝、鍵合以及封口等需要,在平引線和瓷件上鍍一定厚度的金;
(5)引線保護:為避免在引線裁切以及引線打彎時對引線的損傷,在平引線表面涂覆保護材料;
(6)引線裁切:為下一步引線打彎能夠順利進行,將平引線四邊的連接部分裁去;
(7)引線打彎:采用專用模具,對裁切之后的引線進行一次打彎成型,得到陶瓷共燒四邊引線扁平外殼成品。經(jīng)檢驗合格后交付用戶。
(8)用戶根據(jù)自身需求進行芯片粘接、鍵合、封口。
本發(fā)明通過將傳統(tǒng)陶瓷共燒四邊引線扁平外殼制作工藝中的由用戶進行引線裁切和引線打彎的步驟提前到外殼制作階段,即在外殼生產(chǎn)過程中進行引線的打彎成型,解決了傳統(tǒng)工藝用戶操作復(fù)雜、成品率低、在引線打彎成型過程中容易造成報廢的缺點,提高了用戶使用的方便性。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





