[發明專利]在超薄晶片上進行離子注入的方法

無效

• 申請號: 201110319173.6
• 申請日: 2011-10-19
• 公開（公告）號: CN102324384A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發明（設計）人: 成濤;王丕龍;劉家平
• 申請（專利權）人: 科達半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

技術領域

本發明涉及半導體器件制作工藝技術領域，更具體地說，涉及一種在超薄晶片上進行離子注入的方法。

背景技術

絕緣柵雙極晶體管(Insulate?Gate?Bipolar?Transistor，IGBT)是由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

在IGBT器件制造過程中，在保證器件耐壓的情況下，所用晶片的厚度越薄，IGBT器件的通態壓降和散熱性能越好。目前，制造耐壓1200V的IGBT器件時所用晶片的厚度約為130μm，制造耐壓600V的IGBT器件時所用晶片的厚度約為60～70μm。

但是，晶片越薄，在其上制作IGBT器件時對各工藝步驟及相應設備的要求也越高，有時必須進行特殊定制或改造，進而使得投資較大。例如，在離子注入工藝過程中，由于普通的離子注入機只能在標準厚度為625μm的晶片上進行離子注入，因此，在超薄(例如130μm或60～70μm)晶片上進行離子注入時，就需要對普通的離子注入機進行改造，這一方面使得投資較大，另一方面改變了離子注入機的原有結構，使得離子注入工藝后器件的成品率也難以保證。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種在超薄晶片上進行離子注入的方法，該方法不僅可節約投資，而且可保證離子注入工藝后器件的成品率。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種在超薄晶片上進行離子注入的方法，該方法包括：

提供一超薄晶片和一擋片，所述超薄晶片的厚度小于預設厚度；

測量所述超薄晶片的厚度并記錄；

對所述擋片進行減薄，使減薄后的擋片的厚度與所述超薄晶片的厚度之和為預設厚度；

將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，且使超薄晶片上進行離子注入的一面朝外；

將粘貼在一起的超薄晶片和擋片置于離子注入機中，在所述超薄晶片表面進行離子注入。

優選的，上述方法中，對所述擋片進行減薄，采用機械研磨方式進行。

優選的，上述方法中，對所述擋片進行減薄，采用機械研磨和酸液刻蝕相結合的方式進行。

優選的，上述方法中，將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，之前還包括：

對所述超薄晶片和減薄后的擋片分別進行清洗。

優選的，上述方法中，將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，具體包括：

將所述超薄晶片的注入面朝下放置在粘貼治具內；

將所述減薄后的擋片放置在所述粘貼治具內的超薄晶片上，使所述減薄后的擋片與所述超薄晶片完全重合；

采用膠帶將所述粘貼治具邊緣缺口處裸露著的超薄晶片和擋片粘貼在一起；

將粘貼在一起的超薄晶片和擋片從所述粘貼治具內取出。

優選的，上述方法中，在所述超薄晶片表面進行離子注入，之后還包括：

將粘貼在一起的超薄晶片和擋片從所述離子注入機中取出；

將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離。

優選的，上述方法中，將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離，具體包括：

將粘貼在一起的超薄晶片和擋片置于真空吸盤上，所述真空吸盤邊緣設置有與粘貼治具邊緣相對應的缺口，使所述超薄晶片朝下放置，且使粘貼在超薄晶片上的膠帶裸露在真空吸盤邊緣的缺口處；

氣缸帶動橡膠吸嘴下落，使所述橡膠吸嘴接觸所述真空吸盤上的擋片；

去除粘貼在所述超薄晶片和擋片上的膠帶；

使氣缸帶動橡膠吸嘴上升，所述擋片在橡膠吸嘴的吸力下向上運動，所述超薄晶片在真空吸盤的作用下靜止不動，從而實現超薄晶片和擋片的分離。

優選的，上述方法中，將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離，之后還包括：

將分離后的超薄晶片和擋片分別進行清洗。

優選的，上述方法中，所述預設厚度為625μm。