[發明專利]在超薄晶片上進行離子注入的方法

無效

• 申請號: 201110319173.6
• 申請日: 2011-10-19
• 公開（公告）號: CN102324384A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發明（設計）人: 成濤;王丕龍;劉家平
• 申請（專利權）人: 科達半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種在超薄晶片上進行離子注入的方法，其特征在于，包括：

提供一超薄晶片和一擋片，所述超薄晶片的厚度小于預設厚度；

測量所述超薄晶片的厚度并記錄；

對所述擋片進行減薄，使減薄后的擋片的厚度與所述超薄晶片的厚度之和為預設厚度；

將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，且使超薄晶片上進行離子注入的一面朝外；

將粘貼在一起的超薄晶片和擋片置于離子注入機中，在所述超薄晶片表面進行離子注入。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述擋片進行減薄，采用機械研磨方式進行。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述擋片進行減薄，采用機械研磨和酸液刻蝕相結合的方式進行。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，之前還包括：

對所述超薄晶片和減薄后的擋片分別進行清洗。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，具體包括：

將所述超薄晶片的注入面朝下放置在粘貼治具內；

將所述減薄后的擋片放置在所述粘貼治具內的超薄晶片上，使所述減薄后的擋片與所述超薄晶片完全重合；

采用膠帶將所述粘貼治具邊緣缺口處裸露著的超薄晶片和擋片粘貼在一起；

將粘貼在一起的超薄晶片和擋片從所述粘貼治具內取出。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述超薄晶片表面進行離子注入，之后還包括：

將粘貼在一起的超薄晶片和擋片從所述離子注入機中取出；

將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離，具體包括：

將粘貼在一起的超薄晶片和擋片置于真空吸盤上，所述真空吸盤邊緣設置有與粘貼治具邊緣相對應的缺口，使所述超薄晶片朝下放置，且使粘貼在超薄晶片上的膠帶裸露在真空吸盤邊緣的缺口處；

氣缸帶動橡膠吸嘴下落，使所述橡膠吸嘴接觸所述真空吸盤上的擋片；

去除粘貼在所述超薄晶片和擋片上的膠帶；

使氣缸帶動橡膠吸嘴上升，所述擋片在橡膠吸嘴的吸力下向上運動，所述超薄晶片在真空吸盤的作用下靜止不動，從而實現超薄晶片和擋片的分離。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離，之后還包括：

將分離后的超薄晶片和擋片分別進行清洗。

9.根據權利要求1～8任一項所述的方法，其特征在于，所述預設厚度為625μm。