[發明專利]有機發光顯示設備及其制造方法有效
| 申請號: | 201110318414.5 | 申請日: | 2011-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN102569340A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 李俊雨;柳春其;崔埈厚 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 羅正云;宋志強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 設備 及其 制造 方法 | ||
優先權要求
本申請參考早先于2010年12月8日遞交韓國知識產權局并因而被正式分配序列號No.10-2010-0124863的申請,將其合并于此,并要求其優先權和所有權益。
技術領域
本發明涉及有機發光顯示設備及其制造方法,更具體地涉及具有簡化的制造工藝并且滿足圖案化特性、電學特性和焊盤單元的焊盤可靠性的全部的有機發光顯示設備及其制造方法。
背景技術
諸如有機發光顯示設備或液晶顯示設備之類的平板顯示設備被制造在基板上,基板上形成有包括薄膜晶體管(TFT)、電容器以及連接TFT和電容器的布線的圖案。一般而言,為了在制造平板顯示設備的基板上形成包括TFT的精細圖案,通過利用形成有精細圖案的掩膜將圖案傳遞到基板。
使用掩膜傳遞圖案的工藝一般使用光刻工藝。根據包括一系列子步驟的光刻工藝,在即將形成圖案的基板上均勻地形成光刻膠。使用諸如步進機之類的曝光設備將光刻膠曝光。在正性光刻膠的情況下,對曝光的光刻膠進行顯影。在將光刻膠顯影之后,使用剩余的光刻膠作為掩膜刻蝕圖案,從而去除不需要的光刻膠。
在使用掩膜傳遞圖案的工藝中,需要其上具有必要圖案的掩膜。因此,隨著使用掩膜的步驟的數目增多,用于制備掩膜的制造成本也增加。并且,由于需要以上所述的復雜步驟,因此制造工藝復雜,制造時間延長,并且制造成本升高。
發明內容
為了解決以上和/或其它問題,本發明提供一種具有簡化的制造工藝,并且滿足圖案化特性、電學特性和焊盤單元的焊盤可靠性的全部的有機發光顯示設備及其制造方法。
根據本發明的一方面,一種有機發光顯示設備包括:基板;薄膜晶體管,形成在基板上,并且包括有源層、包括柵下電極和柵上電極的柵電極、源電極以及漏電極;有機發光器件,電連接至所述薄膜晶體管,所述有機發光器件包括:順序沉積的由與所述柵電極的至少一部分相同的材料形成在同一層中的像素電極、包括發光層的中間層以及被布置為面對所述像素電極的對電極;以及第一焊盤電極和第二焊盤電極,所述第一焊盤電極由與所述柵上電極相同的材料形成在同一層中,所述第二焊盤電極由與所述源電極和所述漏電極相同的材料形成在同一層中,并且包括預定的離子被摻入與面對所述基板的表面相對的表面中的離子摻雜層。
所述第一焊盤電極可以包括鉬(Mo)。
所述第二焊盤電極可以包括鋁(Al)。
摻入所述離子摻雜層中的離子可以包括鎳(Ni)和鑭(La)離子中至少之一。
所述離子可以僅摻入所述第二焊盤電極的與面對所述基板的表面相對的表面和相鄰區域中。
所述離子摻雜層可以通過離子植入工藝形成。
所述離子摻雜層可以不形成在所述源電極和所述漏電極中。
所述第二焊盤電極可以暴露于外部。
所述有機發光顯示設備可以進一步包括:由與所述柵下電極和所述像素電極相同的材料形成在同一層中并且介入所述基板與所述第一焊盤電極之間的焊盤下電極。
所述柵下電極、所述像素電極和所述焊盤下電極可以包括ITO、IZO、ZnO和In2O3中的至少一種。
所述有機發光顯示設備可以進一步包括存儲電容器,所述存儲電容器包括:由與所述有源層相同的材料形成在同一層中的電容器下電極以及由與所述柵下電極相同的材料形成在同一層中的電容器上電極。
所述有機發光顯示設備可以是朝向所述基板呈現圖像的底發射型有機發光顯示設備。
根據本發明的另一方面,一種有機發光顯示設備,包括:形成在基板上的第一絕緣層;形成在第一絕緣層上的有源層;覆蓋所述有源層的第二絕緣層;形成在所述第二絕緣層上的像素電極、在所述有源層上通過與所述像素電極分開預定的距離而由與所述像素電極相同的材料形成在同一層中的柵下電極,以及通過與所述柵下電極分開預定的距離而由與所述柵下電極相同的材料形成在同一層中的焊盤下電極;形成在所述柵下電極上的柵上電極,以及在所述焊盤下電極上由與所述柵上電極相同的材料形成在同一層中的第一焊盤電極;覆蓋所述像素電極、所述柵上電極以及所述第一焊盤電極的至少一部分的第三絕緣層;以及通過接觸所述像素電極形成在所述第三絕緣層上的源電極和漏電極,以及在所述第一焊盤電極上由與所述源電極和漏電極相同的材料形成在同一層中的第二焊盤電極,其中摻有預定離子的離子摻雜層形成在所述第二焊盤電極的上部分中。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星移動顯示器株式會社,未經三星移動顯示器株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110318414.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





