[發明專利]有機發光顯示設備及其制造方法

有效

• 申請號: 201110318414.5
• 申請日: 2011-10-19
• 公開（公告）號: CN102569340A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 李俊雨;柳春其;崔埈厚
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 羅正云;宋志強

1.一種有機發光顯示設備，包括：

基板；

薄膜晶體管，形成在所述基板上，并且包括有源層、包括柵下電極和柵上電極的柵電極、源電極以及漏電極；

有機發光器件，電連接至所述薄膜晶體管，所述有機發光器件包括：順序沉積的由與所述柵電極的至少一部分相同的材料形成在同一層中的像素電極、包括發光層的中間層以及被布置為面對所述像素電極的對電極；以及

第一焊盤電極和第二焊盤電極，所述第一焊盤電極由與所述柵上電極相同的材料形成在同一層中，所述第二焊盤電極由與所述源電極和所述漏電極相同的材料形成在同一層中，并且包括預定的離子被摻入與面對所述基板的表面相對的表面中的離子摻雜層。

2.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述第一焊盤電極包括鉬。

3.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述第二焊盤電極包括鋁。

4.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中摻入所述離子摻雜層中的離子包括鎳和鑭離子中至少之一。

5.根據權利要求4所述的有機發光顯示設備，其中所述離子僅摻入所述第二焊盤電極的與面對所述基板的表面相對的表面和相鄰區域中。

6.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述離子摻雜層通過離子植入工藝形成。

7.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述離子摻雜層并不形成在所述源電極和所述漏電極中。

8.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述第二焊盤電極暴露于外部。

9.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，進一步包括：由與所述柵下電極和所述像素電極相同的材料形成在同一層中并且介入所述基板與所述第一焊盤電極之間的焊盤下電極。

10.根據權利要求9所述的有機發光顯示設備，其中所述柵下電極、所述像素電極和所述焊盤下電極包括ITO、IZO、ZnO和In₂O₃中的至少一種。

11.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，進一步包括存儲電容器，所述存儲電容器包括：由與所述有源層相同的材料形成在同一層中的電容器下電極以及由與所述柵下電極相同的材料形成在同一層中的電容器上電極。

12.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備，其中所述有機發光顯示設備是朝向所述基板呈現圖像的底發射型有機發光顯示設備。

13.一種有機發光顯示設備，包括：

形成在基板上的第一絕緣層；

形成在所述第一絕緣層上的有源層；

覆蓋所述有源層的第二絕緣層；

形成在所述第二絕緣層上的像素電極、在所述有源層上通過與所述像素電極分開預定的距離而由與所述像素電極相同的材料形成在同一層中的柵下電極，以及通過與所述柵下電極分開預定的距離而由與所述柵下電極相同的材料形成在同一層中的焊盤下電極；

形成在所述柵下電極上的柵上電極，以及在所述焊盤下電極上由與所述柵上電極相同的材料形成在同一層中的第一焊盤電極；

覆蓋所述像素電極、所述柵上電極以及所述第一焊盤電極的至少一部分的第三絕緣層；以及

通過接觸所述像素電極形成在所述第三絕緣層上的源電極和漏電極，以及在所述第一焊盤電極上由與所述源電極和漏電極相同的材料形成在同一層中的第二焊盤電極，其中摻有預定離子的離子摻雜層形成在所述第二焊盤電極的上部分中。

14.根據權利要求13所述的有機發光顯示設備，其中所述第一焊盤電極包括鉬，所述第二焊盤電極包括鋁，并且摻入所述離子摻雜層中的離子包括鎳和鑭離子中至少之一。

15.根據權利要求14所述的有機發光顯示設備，共中所述離子僅摻入所述第二焊盤電極的與面對所述基板的表面相對的表面和相鄰區域中。