[發(fā)明專利]一種輔助刻蝕工藝的自動(dòng)硅片裝片機(jī)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110317710.3
• 申請(qǐng)日: 2011-10-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102403252A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 嘉興科民電子設(shè)備技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/677
• 分類號(hào): H01L21/677
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100
• 代理人: 趙芳;徐關(guān)壽

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種輔助刻蝕工藝的自動(dòng)硅片裝片機(jī)。?

背景技術(shù)

目前太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中，包含有很多工序，其中包含硅片刻蝕。刻蝕是半導(dǎo)體制造工藝、微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的工藝步驟。在上述工序中硅片需要裝到PSS盤中，再放入機(jī)械手傳輸?shù)娇涛g區(qū)進(jìn)行工藝加工。在此工藝中，硅片裝盤是處于人工裝片狀態(tài)，硅片又薄又脆，所以該方式容易出現(xiàn)碎片率高，且PSS盤內(nèi)有18個(gè)槽用于放片，要用人工方式又快又準(zhǔn)地放片是不可能達(dá)到的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決現(xiàn)往PSS盤裝硅片存在碎片率高、工作效率低、工作質(zhì)量差的問(wèn)題，提供了一種碎片率低、工作效率高、工作質(zhì)量高的輔助刻蝕工藝的自動(dòng)硅片裝片機(jī)。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種輔助刻蝕工藝的自動(dòng)硅片裝片機(jī)，包括機(jī)架，其特征在于：所述機(jī)架的操作平臺(tái)上安裝有帶空腔的底座，所述底座上連接有可旋轉(zhuǎn)的帶空腔的上蓋，所述底座內(nèi)從下往上依次安裝有抽氣平臺(tái)、裝片PSS盤、硅片定位盤，所述硅片定位盤由固定盤定位固定安裝；所述底座上開(kāi)有腔體第一出口、腔體第二出口、腔體第三出口，所述腔體第一出口與抽氣平臺(tái)連通，所述腔體第二出口和腔體第三出口均設(shè)在抽氣平臺(tái)的外側(cè)，所述腔體第一出口、腔體第二出口與對(duì)腔體抽真空的真空泵連接，所述真空泵安裝在機(jī)架底部平臺(tái)上，所述腔體第三出口與輸送氮?dú)膺M(jìn)入腔體的裝置連接。

進(jìn)一步，所述腔體第一出口與真空泵之間安裝有測(cè)量抽氣平臺(tái)內(nèi)真空度的真空計(jì)。

進(jìn)一步，所述腔體第一出口與真空泵的第一接口連接，所述腔體第二出口與真空泵的第二接口連接，所述腔體第一出口與真空泵的第一接口之間、所述腔體第二出口與真空泵的第二接口之間均安裝有氣壓閥門。

進(jìn)一步，所述氣壓閥門與腔體第一出口、腔體第二出口、真空泵的第一接口、真空泵的第二接口之間分別通過(guò)法蘭連接。

進(jìn)一步，所述底座與上蓋通過(guò)連接座和連接轉(zhuǎn)軸連接。

進(jìn)一步，所述底座和上蓋內(nèi)的空腔均是鋁腔。

進(jìn)一步，所述抽氣平臺(tái)通過(guò)螺栓固定安裝在底座上，并與底座之間安裝有氣密封圈。

進(jìn)一步，所述裝片PSS盤通過(guò)螺釘與硅片定位盤固定連接。

進(jìn)一步，所述固定盤通過(guò)螺栓與墊片環(huán)將硅片定位盤、裝片PSS盤固定在抽氣平臺(tái)上。

進(jìn)一步，所述底座與上蓋之間、所述腔體第一出口與與其連接的法蘭之間、所述腔體第二出口與與其連接的法蘭之間、所述腔體第三出口與與其連接的法蘭之間、裝片PSS盤與硅片定位盤的倒槽之間均安裝有密封圈。?

本發(fā)明主要應(yīng)用于硅片刻蝕工藝中的前序工作準(zhǔn)備，把硅片刻蝕中的裝片步驟解體出來(lái)，提高硅片的裝片效率，從而形成高效的自動(dòng)化生產(chǎn)線，本發(fā)明一次可裝18片的盤，自動(dòng)化程度高，操作方便，節(jié)省勞動(dòng)力，降低了裝片時(shí)的破損率，有效提高了刻蝕工藝的工作進(jìn)程。

本發(fā)明的使用過(guò)程：

1、打開(kāi)上蓋，把通過(guò)螺釘相連的裝片PSS盤和硅片定位盤對(duì)準(zhǔn)安放在抽氣平臺(tái)上，再把裝片PSS盤和硅片定位盤通過(guò)固定盤用螺栓固定于底座的腔體內(nèi)，此時(shí)把硅片放入硅片定位盤的倒槽中，蓋上上蓋。

2、腔體第二出口處的氣壓閥門開(kāi)啟，腔體第二出口與真空泵的第二接口處開(kāi)始抽真空，達(dá)到工作值。

3、工作腔體內(nèi)的真空度達(dá)到要求后，開(kāi)啟腔體第一出口處的氣壓閥門，腔體第一出口與真空泵的第一接口處開(kāi)始抽真空，完成硅片通過(guò)硅片定位盤定位吸附到裝片PSS盤上的動(dòng)作。

4、此刻可通過(guò)腔體第一出口處的真空計(jì)來(lái)測(cè)量真空度，達(dá)到工作要求恒定后，關(guān)閉腔體第二出口處的氣壓閥門，開(kāi)啟腔體第三出口處的氮?dú)廨斎肟冢淙氲獨(dú)狻?/p>

5、當(dāng)?shù)鬃c上蓋之間的腔體內(nèi)的氣壓值等于大氣壓時(shí)，停止輸送氮?dú)猓蜷_(kāi)上蓋，卸下固定盤，關(guān)閉腔體第一出口處的氣壓閥門，取出片盤。

本發(fā)明的氣壓閥門與底座腔體間的法蘭根據(jù)高度不同可以由多個(gè)法蘭燒結(jié)組成。

本發(fā)明的有益效果：自動(dòng)化程度高，操作方便，節(jié)省勞動(dòng)力，降低了裝片時(shí)的破損率，有效提高了刻蝕工藝的工作進(jìn)程。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明的主體工作腔的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明的主體工作腔的放大結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式