[發明專利]半導體的接觸孔結構及其制作方法

無效

• 申請號: 201110315287.3
• 申請日: 2011-10-17
• 公開（公告）號: CN103050433A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 周俊卿;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種制作半導體接觸孔結構的方法，其特征在于，包括：

提供半導體基底，其內設置有導電區域；

在所述半導體基底上依次形成第一、二介質層；

形成掩膜，所述掩膜在對應所述導電區域處形成有缺口；

利用所述掩膜刻蝕所述第二介質層、第一介質層，以在所述第一、二介質層內形成與所述導電區域相連的通孔，其中，所述第一介質層內通孔的寬度小于所述第二介質層內通孔的寬度。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，刻蝕所述第二介質層、第一介質層后，另包括：

去除所述掩膜；

在所述通孔內填充導電材料。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述導電材料為鎢或銅。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述通孔內填充導電材料之前，所述方法另包括在所述通孔底部和側墻沉積阻擋層的步驟，所述阻擋層的材料為TaN或CuMn。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蝕中，第一介質層和第二介質層的刻蝕比范圍為3到5。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介質層/第二介質層的材料組合是等離子增強氧化硅/富硅氧化物、氮化硅/摻氮碳化硅、低介電常數氧化硅/等離子增強氧化硅中的一種。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介質層內的通孔的截面形狀為上寬下窄的梯形。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜為無定形碳和摻氮氧化硅組合，或低溫氧化硅和有機材料組合，或Si-ARC和有機材料組合，或光刻膠圖案。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，利用沉積工藝形成所述第一、二介質層。

10.一種半導體接觸孔結構，其特征在于，包括：

半導體基底，其內設置有導電區域；

依次形成在所述半導體基底上的第一、二介質層；

形成在所述第一、二介質層內并與所述導電區域相連的通孔，其中，所述第一介質層內通孔的寬度小于所述第二介質層內通孔的寬度。

11.如權利要求10所述的接觸孔結構，其特征在于，另包括填充在所述通孔內的導電材料。

12.如權利要求11所述的接觸孔結構，其特征在于，所述導電材料為鎢或銅。

13.如權利要求11或12所述的接觸孔結構，其特征在于，在所述導電材料與所述通孔底部、側墻之間形成有阻擋層，所述阻擋層的材料為TaN或CuMn。

14.如權利要求10所述的接觸孔結構，其特征在于，所述第一介質層和第二介質層的刻蝕比范圍為3到5。

15.如權利要求10所述的接觸孔結構，其特征在于，所述第一介質層/第二介質層的材料組合是等離子增強氧化硅/富硅氧化物、氮化硅/摻氮碳化硅、低介電常數氧化硅/等離子增強氧化硅中的一種。

16.如權利要求10所述的接觸孔結構，其特征在于，所述第一介質層內的通孔的截面形狀為上寬下窄的梯形。