[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201110315285.4
• 申請日: 2011-10-17
• 公開（公告）號: CN103050382A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 張海洋;沈滿華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上依次形成有介質層、第一掩模層和第二掩模層；

在所述第二掩模層的側面形成側墻；

形成圖形化的光掩模層，覆蓋所述第二掩模層、側墻和第一掩模層；

以所述圖形化的光掩模層為掩模，依次刻蝕所述第二掩模層、第一掩模層和介質層。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述介質層的材料為低介電常數材料或者超低介電常數材料。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述圖形化的光掩模層的開口尺寸大于所述第二掩模層的尺寸。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一掩模層為金屬硬掩模層。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一掩模層的材料包括氮化鈦、氮化硼或者兩者的組合。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一掩模層的厚度小于或等于

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第二掩模層的材料為氧化硅；所述側墻的材料為氮化硅。

8.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，以所述圖形化的光掩模層為掩模，依次干法刻蝕所述第二掩模層、第一掩模層和介質層。

9.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，還包括：

去除所述圖形化的光掩模層，并以所述側墻為掩模刻蝕剩余的第一掩模層以及部分介質層；

去除所述側墻，并以第一掩模層為掩模，刻蝕剩余的介質層。

10.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，去除所述圖形化的光掩模層，并以所述側墻為掩模干法刻蝕剩余的第一掩模層以及部分介質層。

11.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，濕法刻蝕去除所述側墻，并以第一掩模層為掩模，干法刻蝕剩余的介質層。

12.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，還包括：在所述第二掩模層的側面形成側墻之后，且在形成圖形化的光掩模層之前，對所述側墻進行線性裁切。

13.如權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，采用干法刻蝕對所述側墻進行線性裁切。