[發明專利]多層鍍膜工藝

有效

• 申請號: 201110314646.3
• 申請日: 2011-10-17
• 公開（公告）號: CN102386277A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 職森森;陳作庚;陳黔;陳紅利;唐磊
• 申請（專利權）人: 浙江貝盛光伏股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 湖州金衛知識產權代理事務所(普通合伙) 33232
• 代理人: 裴金華

技術領域

本發明涉及一種多層鍍膜工藝，屬于太陽能電池制造領域。

背景技術

太陽能電池工藝中，表面減反膜的工藝是很重要的一步，它直接決定了太陽能電池能吸收了多少太陽光。

傳統的太陽能電池表面減反膜是采用氮化硅薄膜，氮化硅作為表面減反膜的特點是，工藝簡單，易于產業化生產，成本較低，但缺點也很明顯是:氮化硅作為減反膜在電池和組件上，氮化硅薄膜的折射率與厚度無法同時匹配到最佳值，導致組件端在封裝后存在一定的封裝損失；同時由于主要考慮氮化硅薄膜的光學性能，因此在鈍化效果上也無法達到最佳，造成電池效率一定程度上的損失；而且傳統的氮化硅減反膜在折射率與厚度的設計上，從電池角度與組件角度分別考慮存在較大的差異，所以需要一種新的減反膜設計來減小這種差異造成的損失。

發明內容

本發明為解決現有技術問題，提供一種鈍化效果好、電能轉化率高的多層鍍膜工藝。

?本發明的技術方案是：多層鍍膜工藝，包括以下步驟：

a)???????送料，將硅片放置于擴散爐內；

b)??????對硅片加溫至780~800℃，同時充入由氧氣和氮氣組成的混合氣，對硅片表面進行氧化；

c)???????待氧化層達到5~10nm后，停止充氣，制成一次半成品；

d)??????從擴散爐中取出一次半成品，并對一次半成品進行冷卻；

e)???????將冷卻后的一次半成品放置于石墨舟內，石墨舟輸運到鍍膜爐管內并使石墨舟電極孔與鍍膜爐管內電極桿相接；

f)????????對鍍膜爐管進行抽真空，抽真空的過程中給爐管持續升溫；

g)???????使用流量為3.0~8.0slm的NH₃在高頻輝光條件下形成等離子體對硅片表面進行預處理，預處理時間為10~15?min，同時對鍍膜爐管內部進行加溫；

h)??????向爐管內充N₂，直到管內壓力達到500~700mbar，使鍍膜爐管內溫度穩定450℃；

i)?????????依次在一次半成品沉積至少兩層氮化硅薄膜；

j)?????????將鍍膜爐管內的氣體抽出，并用N₂對爐管進行吹洗；

k)??????鍍膜爐管內充入N₂使管內壓力達到大氣后打開爐門，將石墨舟取出。