[發明專利]多層鍍膜工藝

有效

• 申請號: 201110314646.3
• 申請日: 2011-10-17
• 公開（公告）號: CN102386277A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 職森森;陳作庚;陳黔;陳紅利;唐磊
• 申請（專利權）人: 浙江貝盛光伏股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 湖州金衛知識產權代理事務所(普通合伙) 33232
• 代理人: 裴金華

1.多層鍍膜工藝，其特征在于：包括以下步驟：

a)?????????送料，將硅片放置于擴散爐內；

b)????????對硅片加溫至780~800℃，同時充入由氧氣和氮氣組成的混合氣，對硅片表面進行氧化；

c)?????????待氧化層達到5~10nm后，停止充氣，制成一次半成品；

d)????????從擴散爐中取出一次半成品，并對一次半成品進行冷卻；

e)?????????將冷卻后的一次半成品放置于石墨舟內，石墨舟輸運到鍍膜爐管內并使石墨舟電極孔與鍍膜爐管內電極桿相接；

f)?????????對鍍膜爐管進行抽真空，抽真空的過程中給爐管持續升溫；

g)????????使用流量為3.0~8.0slm的NH₃在高頻輝光條件下形成等離子體對硅片表面進行預處理，預處理時間為10~15?min，同時對鍍膜爐管內部進行加溫；

h)????????向爐管內充N₂，直到管內壓力達到500~700mbar，使鍍膜爐管內溫度穩定450℃；

i)??????????依次在一次半成品沉積至少兩層氮化硅薄膜；

j)??????????將鍍膜爐管內的氣體抽出，并用N₂對爐管進行吹洗；

k)????????鍍膜爐管內充入N₂使管內壓力達到大氣后打開爐門，將石墨舟取出。

2.根據權利要求1所述多層鍍膜工藝，其特征在于：步驟B內，所述混合氣中氧氣和氮氣的比例為1：15~3：15。

3.根據權利要求2所述多層鍍膜工藝，其特征在于：步驟C內，持續氧化時間為10~15min。

4.根據權利要求1所述多層鍍膜工藝，其特征在于：步驟F內，所述抽真空為抽至鍍膜爐管內的氣壓減小至30mbar以下。

5.根據權利要求4所述多層鍍膜工藝，其特征在于：步驟F內，抽真空完畢后，關閉所有閥門，維持管內壓力恒定30s以上。

6.根據權利要求4或5所述多層鍍膜工藝，其特征在于：步驟F內，所述的持續升溫為鍍膜爐管內升溫至370~410℃。

7.根據權利要求1所述多層鍍膜工藝，其特征在于：步驟I內，所有氮化硅薄膜的膜厚總厚為72~94nm。

8.根據權利要求7所述多層鍍膜工藝，其特征在于：步驟I內，所述氮化硅薄膜為兩層，其中，第一層膜厚5~30nm，第二層膜厚53~78nm。

9.根據權利要求8所述多層鍍膜工藝，其特征在于：所述第一層氮化硅薄膜的折射率2.3~2.7，所述第二層氮化硅薄膜的折射率1.90~2.2。

10.根據權利要求1所述多層鍍膜工藝，其特征在于：步驟G中，所述加溫為使鍍膜爐管升溫到430~450℃。