[發明專利]一種非揮發性存儲器單元結構以及形成方法

無效

• 申請號: 201110314342.7
• 申請日: 2011-10-17
• 公開（公告）號: CN102446924A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 黃曉櫓;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種非揮發性存儲器單元結構，其特征在于，在半導體硅片表面設有柵極，所述柵極設有側墻，所述側墻為低K介質材料。

2.根據權利要求1所述存儲器單元結構，其特征在于，所述柵極從下往上包括隧穿氧化層、浮動柵極層、電荷阻擋層和控制柵極層。

3.根據權利要求1所述存儲器單元結構，其特征在于，所述柵極從下往上包括隧穿氧化層、電荷捕捉層、電荷阻擋層和控制柵極層。

4.根據權利要求1所述存儲器單元結構，其特征在于，所述低K介質材料為摻碳后的SiO₂、Si₃N₄中的一種或多種混合物。

5.一種形成權利要求1所述存儲器單元結構的方法，特征在于，在半導體硅片上形成柵極，在柵極和半導體硅板上的沉積低K介質材料，沉積過程中進行碳摻雜從而形成具有較低介電常數的低K介質層，刻蝕除去多余低K介質層形成柵極側墻。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述柵極通過先后在半導體硅片上沉積隧穿氧化層、浮動柵極層、電荷阻擋層和控制柵極層并刻蝕多余部分而形成。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述柵極通過先后在半導體硅片上沉積隧穿氧化層、電荷捕捉層、電荷阻擋層和控制柵極層并刻蝕多余部分而形成。

8.據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述低K介質材料為摻碳的SiO₂、Si₃N₄中的一種或多種混合物。