[發明專利]可高效率地提取光的玻璃基板及其制造方法有效
| 申請號: | 201110314076.8 | 申請日: | 2011-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN102456835A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發明(設計)人: | 黃龍云;姜東昊;李在永;吳昇赫;金會鎮;具本澈 | 申請(專利權)人: | 諾發光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/00 | 分類號: | H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;金光軍 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高效率 提取 玻璃 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及應用于OLED照明、太陽能電池或者顯示器面板的玻璃基板及其制造方法,尤其特別涉及提高應用于上述元件上的玻璃基板的透光度的技術。
背景技術
通常,應用于OLED照明、太陽能電池、平板顯示器面板的玻璃基板具有設置各種驅動元件等的側面和光透過之后形成發光面的側面,其中對于形成發光面的玻璃基板來說,所發出的光之中傳播到玻璃基板外側的光越多,則越有利。
尤其,對于OLED照明來說,由于開發出磷光有機材料,OLED的內量子效率(internal?quantum?efficiency)為100%,但是如圖1所示,在發光層產生的光之中的約50%的光因層之間形成波導(waveguide)而向側面傳播,約30%的光因全反射而消失。
因此,內部產生的光中僅20%的光才能夠傳播到實際元件外部,所以OLED的外量子效率偏低。為了解決此問題(即,將禁錮于元件內部的光提取到外部),如圖2所示,正在研究在元件的內部插入專門的層的技術。將具有低折射率(Low?refractive?index)的層插入到透明陽極電極與基板之間,據此能夠降低因全反射引起的光損失。這種效果通過插入微腔(micro?cavity)層而能夠進一步增大,而且通過插入對光進行散射(scattering)的層也能得到類似的效果。而且,通過在元件外部,即在玻璃基板上粘貼專門的薄膜(出光耦合薄膜:out?coupling?film)或者微透鏡陣列薄膜(micro?lens?array?film),能夠提高光提取效率。
但是,以上所列的方法都形成高成本的工藝,需要繁瑣的努力,且光提取效率,即光透過率也不會提高至所期望的程度。
發明內容
因此,本發明的目的在于提供一種更加簡便,并能夠以低廉的工藝提高光提取效率的玻璃基板。
本發明能夠提供在玻璃基板上隨機地(randomly)形成數納米(nm)至數微米(μm)的多個凹痕(dimple),由此提高光提取效率的可高效率地提取光的玻璃基板。
而且,本發明能夠提供一種可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述可高效率地提取光的玻璃基板通過在蝕刻溶液中液浸(dipping)玻璃基板而制造。
而且,本發明能夠提供一種可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述蝕刻工藝中使用的蝕刻溶液選擇當施加外壓而蝕刻玻璃基板時,具有每分鐘數μm以內的蝕刻能力的蝕刻溶液。
而且,本發明能夠提供一種可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述液浸工藝中,在包含氟(F+)離子的蝕刻溶液里浸漬玻璃基板數秒至數分鐘。
而且,本發明能夠提供一種可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,包括:
在玻璃基板上掩蔽具備橫向長度和豎向長度為數μm至數十μm的網孔(mesh)的掩模的步驟;
將混合能夠被氟離子(F+)蝕刻的平均粒徑為數μm至數十μm尺寸的金屬粉末和粘合劑(binder)的漿體以絲網印刷涂布于所述掩模上的步驟;
向被涂布的所述漿體照射UV或在50℃~200℃下對所述漿體進行干燥的步驟;
將不會粘貼于所述漿體也不會被氟粒子蝕刻的樹脂材料利用噴霧器噴射到涂布有所述漿體的玻璃基板上的步驟;
向所述樹脂材料照射UV或在50℃~200℃下對所述漿體進行干燥的步驟;
對涂布有所述漿體和樹脂材料并進行干燥的玻璃基板進行蝕刻,以對包含于所述漿體而緊貼加壓到玻璃基板的金屬粉末和所述金屬粉末的粒子所加壓的位置的玻璃部分進行蝕刻,以形成平均直徑為數μm至數十μm尺寸的微米凹痕的一次蝕刻步驟;以及
結束所述一次蝕刻步驟之后,對玻璃基板進行蝕刻的第二蝕刻步驟,以在形成于玻璃基板的微米凹痕內形成平均直徑為數nm至數十nm尺寸的納米凹痕,由此在玻璃基板上形成微米凹痕并在所述微米凹痕面上形成納米凹痕。
而且,本發明能夠提供一種可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述二次蝕刻的蝕刻程度相比所述一次蝕刻的蝕刻程度更弱。
而且,本發明能夠提供一種可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述金屬粉末由Ag、Fe、Cu、Al中的其中一個形成,所述樹脂材料由環氧樹脂或聚酯中的某一個形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





