[發明專利]可高效率地提取光的玻璃基板及其制造方法有效
| 申請號: | 201110314076.8 | 申請日: | 2011-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN102456835A | 公開(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發明(設計)人: | 黃龍云;姜東昊;李在永;吳昇赫;金會鎮;具本澈 | 申請(專利權)人: | 諾發光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/00 | 分類號: | H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;金光軍 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高效率 提取 玻璃 及其 制造 方法 | ||
1.一種可高效率地提取光的玻璃基板,其特征在于,在玻璃基板上隨機地形成提高光提取效率的數納米至數微米尺寸的多個凹痕。
2.一種可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,權利要求1所述的可高效率地提取光的玻璃基板通過在蝕刻溶液中液浸玻璃基板而制造。
3.根據權利要求2所述的可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述蝕刻工藝中使用的蝕刻溶液選擇當施加外壓而蝕刻玻璃基板時,具有每分鐘數μm以內的蝕刻能力的蝕刻溶液。
4.根據權利要求2或3所述的一種可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述液浸工藝中,在包含氟離子的常溫的蝕刻溶液里浸漬玻璃基板數秒至數分鐘。
5.一種可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,包括:
在玻璃基板上掩蔽具備橫向長度和豎向長度為數μm至數十μm的網孔的掩模的步驟;
將混合能夠被氟離子蝕刻的平均粒徑為數μm至數十μm尺寸的金屬粉末和粘合劑的漿體以絲網印刷涂布于所述掩模上的步驟;
在50℃~200℃下對被涂布的所述漿體進行干燥的步驟;
撤去所述掩模之后,將不會粘貼于所述漿體也不會被氟粒子蝕刻的熱固化性樹脂噴射到涂布有所述漿體的玻璃基板上的步驟;
在50℃~200℃下對所述熱固化性樹脂進行干燥的步驟;
對涂布有所述漿體和熱固化性樹脂并進行干燥的玻璃基板進行蝕刻,以對包含于所述漿體而緊貼加壓到玻璃基板的金屬粉末和所述金屬粉末粒子所加壓的位置的玻璃部分進行蝕刻,以形成平均直徑為數μm至數十μm尺寸的微米凹痕的一次蝕刻步驟;以及
結束所述一次蝕刻步驟之后,對玻璃基板進行蝕刻的第二蝕刻步驟,以在形成于玻璃基板的微米凹痕內形成平均直徑為數nm至數十nm尺寸的納米凹痕,由此在玻璃基板上形成微米凹痕并在所述微米凹痕面上形成納米凹痕。
6.根據權利要求5所述的可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述二次蝕刻的蝕刻程度相比所述一次蝕刻的蝕刻程度更弱。
7.根據權利要求6所述的可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述金屬粉末由Ag、Fe、Cu、Al中的其中一個形成,所述熱固化性樹脂由環氧樹脂或聚酯中的某一個形成。
8.一種可高效率地提取光的玻璃基板,其特征在于,在玻璃基板上形成平均直徑為數μm至數十μm尺寸的微米凹痕和在所述微米凹痕的表面形成平均直徑為數nm至數百nm尺寸的納米凹痕。
9.一種可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,從包含氟離子的溶液表面間隔而設置玻璃基板,并向玻璃基板的表面噴射從所述溶液表面蒸發的包含氟離子的蝕刻蒸汽,以形成平均直徑為數nm至數百nm尺寸的納米凹痕。
10.根據權利要求9所述的可高效率地提取光的玻璃基板的制造方法,其特征在于,將包含所述氟離子的溶液表面與所述玻璃基板表面之間的間隔定為數cm,通過相互調整包含氟離子的溶液的濃度、噴射蒸汽的時間,形成所述納米凹痕。
11.一種可高效率地提取光的玻璃基板的制造系統,其特征在于,包括:
溶液槽,裝有包含氟離子的溶液;
蝕刻蒸汽供應管,與所述溶液槽的空間連通,將從所述溶液槽的溶液蒸發的蝕刻蒸汽排出到玻璃基板上;
蝕刻蒸汽吸入管,吸入蝕刻蒸汽,以使從所述蝕刻蒸汽供應管排出的蝕刻蒸汽在玻璃基板上水平移動,
所述蝕刻蒸汽供應管的排氣壓力維持為大于所述蝕刻蒸汽吸入管的吸入壓力,
所述蝕刻蒸汽用于使所述玻璃基板的表面形成平均直徑為數nm至數百nm尺寸的納米凹痕。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





