[發(fā)明專利]表面等離激元電致激發(fā)源及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110312187.5
• 申請日: 2011-10-14
• 公開（公告）號: CN103050591A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李敬;徐紅星
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;H01L33/30;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種表面等離激元電致激發(fā)源，包括：

第一金屬層；

第二金屬層；

第一金屬層和第二金屬層之間的量子阱層；

第一金屬層和第二金屬層之一中的耦合輸出結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面等離激元電致激發(fā)源，其中量子阱層包括單量子阱或多個量子阱。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面等離激元電致激發(fā)源，其中量子阱層為GaAs基材料，第一金屬層、第二金屬層之間的所有介質(zhì)層的總厚度在100-140nm內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面等離激元電致激發(fā)源，其中量子阱層為InP基材料，第一金屬層、第二金屬層之間的所有介質(zhì)層的總厚度在200-300nm內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面等離激元電致激發(fā)源，其中量子阱層為銻化物基材料，第一金屬層、第二金屬層之間的所有介質(zhì)層的總厚度在350-700nm內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面等離激元電致激發(fā)源，其中第一金屬層和第二金屬層中不具有耦合輸出結(jié)構(gòu)的一個被鍵合到襯底上的鍵合金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面等離激元電致激發(fā)源，其中量子阱層與第一金屬層之間具有p型歐姆接觸層，量子阱層與第二金屬層之間具有n型歐姆接觸層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的表面等離激元電致激發(fā)源，其中p型歐姆接觸層的摻雜濃度約為10¹⁴-10¹⁷cm^-3，n型歐姆接觸層的摻雜濃度約為10¹⁶-10¹⁸cm^-3。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面等離激元電致激發(fā)源，其中耦合輸出結(jié)構(gòu)為光柵或孔洞陣列。

10.一種制造如權(quán)利要求1所述的表面等離激元電致激發(fā)源的方法，包括：

在第一襯底上生長緩沖層、刻蝕阻擋層、量子阱層、形成量子阱外延片；

在第二襯底和量子阱外延片上分別沉積鍵合金屬層和第一金屬層；

將第二襯底上的鍵合金屬層與量子阱外延片上的第一金屬層面對面貼合并低溫鍵合，使第二襯底與量子阱外延片鍵合在一起；

腐蝕去掉第一襯底和緩沖層，腐蝕去掉刻蝕阻擋層；

沉積第二金屬層，并在第二金屬層中形成耦合輸出結(jié)構(gòu)。