[發明專利]超結縱向雙擴散金屬氧化物場效應晶體管終端結構有效
| 申請號: | 201110311815.8 | 申請日: | 2011-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN102315274A | 公開(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發明(設計)人: | 錢欽松;祝靖;林顏章;馬文力;孫偉鋒;陸生禮;時龍興 | 申請(專利權)人: | 東南大學 |
| 主分類號: | H01L29/78 | 分類號: | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人: | 湯志武 |
| 地址: | 214135 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 縱向 擴散 金屬 氧化物 場效應 晶體管 終端 結構 | ||
1.種超結縱向雙擴散金屬氧化物場效應晶體管終端結構,包括:兼做漏區的N型重摻雜硅襯底(4),在N型重摻雜硅襯底(4)的下表面設置有漏極金屬(11),在N型重摻雜硅襯底(4)的上表面設有N型摻雜硅外延層(5),在N型摻雜硅外延層(5)上設有超結結構,所述的超結結構包括P型摻雜硅柱狀區域(6)和N型摻雜硅柱狀區域(7),P型摻雜硅柱狀區域(6)和N型摻雜硅柱狀區域(7)交替排列,在所述的超結結構上設有二氧化硅層(8),其特征在于,在P型摻雜硅柱狀區域(6)頂部設有一排N型摻雜硅區域(9),在N型摻雜硅柱狀區域(7)?頂部設有一排P型摻雜硅區域(10)。
2.根據權利要求1所述的超結縱向雙擴散金屬氧化物場效應晶體管終端結構,其特征在于,P型摻雜硅柱狀區域(6)頂部的N型摻雜硅區域(9)與N型摻雜硅柱狀區域(7)頂部的P型摻雜硅區域(10)平齊排列。
3.根據權利要求1所述的超結縱向雙擴散金屬氧化物場效應晶體管終端結構,其特征在于,P型摻雜硅柱狀區域(6)頂部的N型摻雜硅區域(9)與N型摻雜硅柱狀區域(7)頂部的P型摻雜硅區域(10)錯位排列。
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