[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

無效

• 申請號: 201110311715.5
• 申請日: 2011-10-14
• 公開（公告）號: CN102360146A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 馬小龍;陳虹瑞;張驄瀧
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及液晶顯示領域，尤其涉及一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。

背景技術

由于TFT?(?Thin?Film?Transistor，薄膜晶體管)?-LCD具有體積小、低功耗、無輻射等優點，近些年來得到迅猛發展。

液晶面板是液晶顯示器的重要部件，其包括CF基板與陣列基板，兩者中間夾一層液晶。在TFT-LCD陣列基板的制造過程中，雖然竭力控制，但還是不可避免的會產生柵極線或數據線的斷線的缺陷，此缺陷不僅難以修復，而且還會造成成本與制程上的巨大浪費。

如圖1所示，為現有技術TFT-LCD陣列基板中對柵極線與數據線進行斷線修復的結構示意圖，在圖1中，原本一根的數據線與公共電極線分別被分為兩段，分別在位置Y、Z連接在一起。當位置X的柵極線發生斷線時，可以按照下述方式進行修復，將數據線在圖中D1、D3、D5、D7點的位置用激光打斷，再將公共電極在圖中D2、D4、D6點用激光打斷；緊接著，使用高能量激光在C1、C2、C3、C4四點將屬于第一層金屬的柵極線、公共電極以及屬于第二層金屬的數據線（兩層金屬間隔一絕緣層）熔接并導通。完成上述操作后，信號流如圖1所示中的箭頭方向進行傳遞：柵極線????????????????????????????????????????????????—經由C1點到數據線—經由C2點到公共電極—經由C3點到數據線—經由C4點到柵極線，通過上述實施方式實現對柵極線X處斷線的修復。上述修復方法存在以下缺點：

1、修復程序繁瑣，通常修復一處斷路需進行4-10次激光照射，修復效率低；

2、公共電極的雙線結構設計對開口率影響較大，能耗增加；

3、由于要形成旁路才能達到修復之目的，無形中增加了走線長度，走線上壓降增大。

發明內容

為解決現有技術中基板上斷線導致修復復雜且修復成本偏高的問題，有必要提供一種TFT-LCD陣列基板，該TFT-LCD陣列基板包括柵極線金屬層、與該柵極線金屬層交疊設置的數據線金屬層以及包覆設置在該柵極線金屬層和該數據線金屬層周圍的多個層體，該柵極線金屬層上設有并行且交替排列的第一柵極線和第二柵極線，該數據線金屬層上設有并行且交替排列的第一數據線和第二數據線；該第一柵極線和該第二柵極線電連接；該第一數據線和該第二數據線電連接。

進一步地，該多個層體包括柵極絕緣層、半導體層、歐姆接觸層、鈍化層以及透明導電層組成，該陣列基板依次包括柵極線金屬層、柵極絕緣層、半導體層、歐姆接觸層、數據線金屬層、鈍化層以及透明導電層；

進一步地，該第一柵極線和該第二柵極線通過導線連通，該第一數據線和該第二數據線通過導線連通。

進一步地，該柵極線金屬層包括多條第一柵極線和多條第二柵極線，該數據線金屬層包括多條第一數據線和多條第二數據線，由該多條第一柵極線和該多條第二柵極線與該多條第一數據線和該多條第二數據線相互交疊定義多個像素電極區域，

進一步地，該像素電極區域內設置有薄膜晶體管，該薄膜晶體管的柵極與第一柵極線或第二柵極線連接，該薄膜晶體管的源極與該第一數據線或第二數據線連接，該薄膜晶體管的漏極與該像素電極連接。

進一步地，該透明導電層與該柵極線金屬層的該第一柵極線和/或該第二柵極線部分交疊形成存儲電容。

進一步地，連接該第一柵極線與該第二柵極線的導線有多條，且相互平行設置；連接該第一數據線與該第二數據線的導線有多條，且相互平行設置。

進一步地，該柵極線金屬層的該第一柵極線和該第二柵極線和該數據線金屬層的該第一數據線和該第二數據線相交疊的區域形成多組寄生電容。

本發明還公開了一種TFT-LCD陣列基板的制造方法，包括以下步驟：步驟一：在柵極線金屬層上并行且交替排列第一柵極線和第二柵極線；步驟二：電連接所述第一柵極線和所述第二柵極線；步驟三：在數據線金屬層上并行且交替排列第一數據線和第二數據線；步驟四：電連接所述第一數據線和所述第二數據線；步驟五：交疊設置所述柵極線金屬層和所述數據線金屬層，并包覆多個層體于所述柵極線金屬層和所述數據線金屬層的周圍以形成TFT-LCD陣列基板。