[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110311715.5
• 申請日: 2011-10-14
• 公開（公告）號: CN102360146A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發(fā)明（設計）人: 馬小龍;陳虹瑞;張驄瀧
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述TFT-LCD陣列基板包括柵極線金屬層、與所述柵極線金屬層交疊設置的數(shù)據(jù)線金屬層以及包覆設置在所述柵極線金屬層和所述數(shù)據(jù)線金屬層周圍的多個層體，所述柵極線金屬層上設有并行且交替排列的第一柵極線和第二柵極線，所述數(shù)據(jù)線金屬層上設有并行且交替排列的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；

所述第一柵極線和所述第二柵極線電連接；

所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述多個層體包括柵極絕緣層、半導體層、歐姆接觸層、鈍化層以及透明導電層組成，該陣列基板依次包括柵極線金屬層、柵極絕緣層、半導體層、歐姆接觸層、數(shù)據(jù)線金屬層、鈍化層以及透明導電層；

所述第一柵極線和所述第二柵極線通過導線連通，所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線通過導線連通。

3.如權(quán)利要求1或2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，相鄰的電連接的所述第一柵極線和所述第二柵極線與相鄰的電連接的所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線相互交疊定義出多個像素電極區(qū)域，所述像素電極區(qū)域內(nèi)設置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與第一柵極線或第二柵極線線連接，所述薄膜晶體管的源極與所述第一數(shù)據(jù)線或第二數(shù)據(jù)線線連接，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極連接。

4.如權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述透明導電層與所述柵極線金屬層的所述第一柵極線和/或所述第二柵極線部分交疊形成存儲電容。

5.如權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，連接所述第一柵極線與所述第二柵極線的導線有多條，且相互平行設置；連接所述第一數(shù)據(jù)線與所述第二數(shù)據(jù)線的導線有多條，且相互平行設置。

6.如權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述柵極線金屬層的所述第一柵極線和所述第二柵極線和所述數(shù)據(jù)線金屬層的所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線相交疊的區(qū)域形成多組寄生電容。

7.一種TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：在柵極線金屬層上并行且交替排列第一柵極線和第二柵極線；

步驟二：電連接所述第一柵極線和所述第二柵極線；

步驟三：在數(shù)據(jù)線金屬層上并行且交替排列第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；

步驟四：電連接所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線；

步驟五：交疊設置所述柵極線金屬層和所述數(shù)據(jù)線金屬層，并包覆多個層體于所述柵極線金屬層和所述數(shù)據(jù)線金屬層的周圍以形成TFT-LCD陣列基板。

8.如權(quán)利要求7所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，

所述步驟二中，所述第一柵極線和所述第二柵極線通過導線進行電連接，以及所述步驟四中，所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線通過導線進行電連接；

所述步驟五中，所述多個層體包括柵極絕緣層、半導體層、歐姆接觸層、鈍化層以及透明導電層，該陣列基板依次包括柵極線金屬層、柵極絕緣層、半導體層、歐姆接觸層、數(shù)據(jù)線金屬層、鈍化層以及透明導電層。

9.如權(quán)利要求7所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述柵極線金屬層包括多條第一柵極線和多條第二柵極線，所述數(shù)據(jù)線金屬層包括多條第一數(shù)據(jù)線和多條第二數(shù)據(jù)線，由所述多條第一柵極線和所述多條第二柵極線與所述多條第一數(shù)據(jù)線和所述多條第二數(shù)據(jù)線相互交疊定義出多個像素電極區(qū)域，在所述像素電極區(qū)域內(nèi)設置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與第一柵極線或第二柵極線線直接連接，所述薄膜晶體管的源極與所述第一數(shù)據(jù)線或第二數(shù)據(jù)線線直接連接，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極連接。

10.如權(quán)利要求8所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，連接所述第一柵極線與所述第二柵極線的導線有多條，且相互平行設置；連接所述第一數(shù)據(jù)線與所述第二數(shù)據(jù)線的導線有多條，且相互平行設置。