[發明專利]一種減少雙層前金屬介電質層開裂的方法

無效

• 申請號: 201110309734.4
• 申請日: 2011-10-13
• 公開（公告）號: CN102446745A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 徐強;陳玉文;鄭春生
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種減少雙層前金屬介電質層開裂的方法，其特征在于：該工藝步驟如下：

1）提供具有N/PMOS的襯底；

2）在襯底上沉積氮化硅蝕刻阻擋層；

3）在氮化硅蝕刻阻擋層上沉積第一前金屬介電質層；

4）對第一前金屬介電質層進行含氧的等離子體處理；

5）在第一前金屬介電質層上沉積第二前金屬介電質層；

6)?對第二前金屬介電質層進行化學機械研磨以達到設計要求厚度。

2.如權利要求1所述的一種減少雙層前金屬介電質層開裂的方法，其特征在于：所述第一前金屬介電質層為HDP?PSG，其中磷濃度的含量為2-8%，厚度為800～2000A。

3.如權利要求1所述的一種減少雙層前金屬介電質層開裂的方法，其特征在于：所述沉積第一前金屬介電質層的溫度小于500℃。

4.如權利要求1所述的一種減少雙層前金屬介電質層開裂的方法，其特征在于：所述第二前金屬介電質層為由PECVD方法沉積的不含磷二氧化硅薄膜，厚度為3000～10000A，沉積溫度為300～500℃。

5.如權利要求1所述的一種減少雙層前金屬介電質層開裂的方法，其特征在于：所述對第一前金屬介電質層進行含氧等離子體處理時，含氧等離子體為下列氣體之一：O₃，O₂或者N₂O。

6.如權利要求1所述的一種減少雙層前金屬介電質層開裂的方法，其特征在于：所述對第一前金屬介電質層進行含氧等離子體處理，處理時間范圍在20～40s之間。

7.如權利要求1所述的一種減少雙層前金屬介電質層開裂的方法，其特征在于：所述對第一前金屬介電質層進行含氧等離子體處理，含氧氣體的流量范圍為：20～50sccm。

8.如權利要求1所述的一種減少雙層前金屬介電質層開裂的方法，其特征在于：所述對第一前金屬介電質層進行含氧等離子體處理，氬氣的流量范圍為：100～200sccm。

9.如權利要求1所述的一種減少雙層前金屬介電質層開裂的方法，其特征在于：所述對第一前金屬介電質層進行含氧等離子體處理，下部射頻電功率范圍為：3000～5000W。

10.如權利要求1所述的一種減少雙層前金屬介電質層開裂的方法，其特征在于：所述對第一前金屬介電質層進行含氧等離子體處理，中部射頻電功率范圍為：1000～2000W。

11.如權利要求1所述的一種減少雙層前金屬介電質層開裂的方法，其特征在于：所述對第一前金屬介電質層進行含氧等離子體處理，上部射頻電功率范圍為：2000～4000W。