[發(fā)明專利]高顯色性白光LED及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110308946.0 | 申請日: | 2011-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN102437150A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳蘇南;吉愛華 | 申請(專利權)人: | 深圳市邁克光電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯色性 白光 led 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及LED照明技術領域,尤其涉及一種高顯色性白光LED及其制作方法。
背景技術
目前,白色發(fā)光二極管因其節(jié)能環(huán)保效果顯著,在照明領域的用途越來越廣泛。現(xiàn)有白光二極管的白光產(chǎn)生方式通常都是在發(fā)藍光芯片上涂上YAG熒光粉,其中部分藍光遇到熒光粉后發(fā)出黃光,黃光與剩余的藍光混合即發(fā)出白光。由于YAG熒光粉的光衰快,導致白色發(fā)光二極管的穩(wěn)定性差,可靠使用時間短,產(chǎn)生的白光顯色性差,大功率器件散熱性差。
如何提高白色發(fā)光二極管的散熱性和白光顯色性,以及如何提高白色發(fā)光二極管的穩(wěn)定性是現(xiàn)有技術面臨的一大難題。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述技術中存在的不足之處,本發(fā)明提供一種高顯色性白光LED及其制作方法,能夠在不使用熒光粉的情況下,獲得穩(wěn)定可靠的高顯色性白光光源。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種高顯色性白光LED,包括:開有凹槽的高效散熱鋁基座,以及在高效散熱鋁基座凹槽中自底而上依次設置的第一金銦錫合金層、硅沉底層、LED高壓芯片、金線和硅膠層,所述硅沉底層朝向所述LED高壓芯片的一面上設置有線路板,所述硅沉底層的朝向第一金銦錫合金層的一面上鍍有第二金銦錫合金層,所述第一金銦錫合金層與第二金銦錫合金層固定連接,所述LED高壓芯片通過所述金線與硅沉底層上設置的線路板電連接,所述硅膠層灌注在所述凹槽內(nèi)并填滿整個凹槽,所述LED高壓芯片包括綠光高壓芯片、藍光高壓芯片和紅光高壓芯片,所述綠光高壓芯片、藍光高壓芯片和紅光高壓芯片并聯(lián)后與線路板電連接。
其中,所述第一金銦錫合金層的厚度為0.1mm,合金中金銦錫的比例為2∶56∶42;所述第二金銦錫合金層的厚度為0.1mm,合金中金銦錫的比例為2∶56∶42。
其中,所述LED高壓芯片朝向硅沉底層的一面具有蒸鍍銦層,所述LED高壓芯片蒸鍍銦層與硅沉底層固定連接,所述蒸鍍銦層的厚度為50~100um。
其中,所述紅光高壓芯片的波長630~635nm,綠光高壓芯片的波長525~530nm,藍光高壓芯片的波長470~475nm。
其中,所述綠光高壓芯片為4枚,所述藍光高壓芯片為4枚,所述紅光高壓芯片為6枚,所述4枚綠光高壓芯片串聯(lián)組成綠光LED串聯(lián)支路,所述4枚藍光高壓芯片串聯(lián)組成藍光LED串聯(lián)支路,所述6枚紅光高壓芯片串聯(lián)組成紅光LED串聯(lián)支路,所述綠光LED串聯(lián)支路、藍光LED串聯(lián)支路和紅光LED串聯(lián)支路并聯(lián)后與所述線路板電連接。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明還提供一種高顯色性白光LED的制作方法,包括以下步驟:
在高效散熱鋁基座上開設凹槽,并在高效散熱鋁基座的凹槽中蒸鍍上第一金銦錫合金層;
將一面上設置有線路板,另一面蒸鍍有第二金銦錫合金層的硅沉底層放置在高效散熱鋁基座的凹槽中,所述第一金銦錫合金層與第二金銦錫合金層固定連接;
將LED高壓芯片固定在硅沉底層的線路板上,且用金線將LED高壓芯片與線路板電連接,所述LED高壓芯片包括綠光高壓芯片、藍光高壓芯片和紅光高壓芯片;
在固定了硅沉底層和LED高壓芯片的高效散熱鋁基座的凹槽中灌注上硅膠層,所述硅膠層填滿整個凹槽。
其中,在高效散熱鋁基座的凹槽中蒸鍍上第一金銦錫合金層的厚度為0.1mm,金銦錫合金的比例為2∶56∶42;在硅沉底層蒸鍍的第二金銦錫合金層的厚度為0.1mm,金銦錫合金的比例為2∶56∶42。
其中,LED高壓芯片朝向硅沉底層的一面具有蒸鍍銦層,蒸鍍銦層的厚度為50~100um。
其中,紅光高壓芯片的波長630~635nm,綠光高壓芯片的波長525~530nm,藍光高壓芯片的波長470~475nm。
其中,在灌注硅膠層的步驟中,包括以下步驟:
將道康寧的6636膠水按比例配好,攪拌5分鐘后,送入脫泡機抽真空;
抽完真空后的6636膠水用自動點膠機點在高效散熱鋁基座的凹槽里;
將灌注有膠水的高效散熱鋁基座送入150度的烘箱,烘烤90分鐘固化。
本發(fā)明的有益效果是:與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明提供的高顯色性白光LED及其制作方法,能夠在不使用熒光粉的情況下,通過綠光高壓芯片、藍光高壓芯片和紅光高壓芯片的組合光源,獲得穩(wěn)定可靠的白光光源,由于沒有設置熒光粉,白光光源直接通過硅膠射出,因而顯色性好。進一步地,本發(fā)明的LED高壓芯片發(fā)熱源通過硅沉底層上的第二金銦錫合金層與高效散熱鋁基座上的第二金銦錫合金層直接熱接觸,散熱性能優(yōu)異,從而延長LED的使用壽命。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





