[發明專利]高顯色性白光LED及其制作方法

有效

• 申請號: 201110308946.0
• 申請日: 2011-10-11
• 公開（公告）號: CN102437150A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 陳蘇南;吉愛華
• 申請（專利權）人: 深圳市邁克光電子科技有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/64;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高顯色性白光LED，其特征在于，包括：開有凹槽的高效散熱鋁基座，以及在高效散熱鋁基座凹槽中自底而上依次設置的第一金銦錫合金層、硅沉底層、LED高壓芯片、金線和硅膠層，所述硅沉底層朝向所述LED高壓芯片的一面上設置有線路板，所述硅沉底層的朝向第一金銦錫合金層的一面上鍍有第二金銦錫合金層，所述第一金銦錫合金層與第二金銦錫合金層固定連接，所述LED高壓芯片通過所述金線與硅沉底層上設置的線路板電連接，所述硅膠層灌注在所述凹槽內并填滿整個凹槽，所述LED高壓芯片包括綠光高壓芯片、藍光高壓芯片和紅光高壓芯片，所述綠光高壓芯片、藍光高壓芯片和紅光高壓芯片并聯后與線路板電連接。

2.根據權利要求1所述的高顯色性白光LED，其特征在于，所述第一金銦錫合金層的厚度為0.1mm，合金中金銦錫的比例為2∶56∶42；所述第二金銦錫合金層的厚度為0.1mm，合金中金銦錫的比例為2∶56∶42。

3.根據權利要求1或2所述的高顯色性白光LED，其特征在于，所述LED高壓芯片朝向硅沉底層的一面具有蒸鍍銦層，所述LED高壓芯片的蒸鍍銦層與硅沉底層固定連接，所述蒸鍍銦層的厚度為50～100um。

4.根據權利要求3所述的高顯色性白光LED，其特征在于，所述紅光高壓芯片的波長630～635nm，綠光高壓芯片的波長525～530nm，藍光高壓芯片的波長470～475nm。

5.根據權利要求4所述的高顯色性白光LED，其特征在于，所述綠光高壓芯片為4枚，所述藍光高壓芯片為4枚，所述紅光高壓芯片為6枚，所述4枚綠光高壓芯片串聯組成綠光LED串聯支路，所述4枚藍光高壓芯片串聯組成藍光LED串聯支路，所述6枚紅光高壓芯片串聯組成紅光LED串聯支路，所述綠光LED串聯支路、藍光LED串聯支路和紅光LED串聯支路并聯后與所述線路板電連接。

6.一種高顯色性白光LED的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在高效散熱鋁基座上開設凹槽，并在高效散熱鋁基座的凹槽中蒸鍍上第一金銦錫合金層；

將一面上設置有線路板，另一面蒸鍍有第二金銦錫合金層的硅沉底層放置在高效散熱鋁基座的凹槽中，并使第一金銦錫合金層與第二金銦錫合金層固定連接；

將LED高壓芯片固定在硅沉底層的線路板上，且用金線將LED高壓芯片與線路板電連接，所述LED高壓芯片包括綠光高壓芯片、藍光高壓芯片和紅光高壓芯片；

在固定了硅沉底層和LED高壓芯片的高效散熱鋁基座的凹槽中灌注上硅膠層，所述硅膠層填滿整個凹槽。

7.根據權利要求6所述的高顯色性白光LED的制作方法，其特征在于，在高效散熱鋁基座的凹槽中蒸鍍上第一金銦錫合金層的厚度為0.1mm，金銦錫合金的比例為2∶56∶42；在硅沉底層蒸鍍的第二金銦錫合金層的厚度為0.1mm，金銦錫合金的比例為2∶56∶42。

8.根據權利要求6或7所述的高顯色性白光LED的制作方法，其特征在于，LED高壓芯片朝向硅沉底層的一面具有蒸鍍銦層，蒸鍍銦層的厚度為50～100um。

9.根據權利要求8所述的高顯色性白光LED的制作方法，其特征在于，紅光高壓芯片的波長630～635nm，綠光高壓芯片的波長525～530nm，藍光高壓芯片的波長470～475nm。

10.根據權利要求9所述的高顯色性白光LED的制作方法，其特征在于，在灌注硅膠層的步驟中，包括以下步驟：

將道康寧的6636膠水按比例配好，攪拌5分鐘后，送入脫泡機抽真空；

抽完真空后的6636膠水用自動點膠機點在高效散熱鋁基座的凹槽里；

將灌注有膠水的高效散熱鋁基座送入150度的烘箱，烘烤90分鐘固化。