[發明專利]CoNiP膜的電沉積

無效

• 申請號: 201110308067.8
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102443826A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: V·文卡塔薩米;M·孫;I·塔巴科維克;M·X·唐
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: C25D3/56
• 分類號: C25D3/56;H01F10/16
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳煒

背景技術

CoNiP是基于鈷的具有相對較高的垂直矯頑力和最大磁能積((BH)max)的硬磁材料。這使CoNiP可用于數種應用，包括例如微機電系統(MEMS)應用。已在文獻中報告了具有良好的磁性質的薄(約10納米)CoNiP膜，然而較厚的膜(約50微米)已報告具有較差的磁性質。因此，仍然存在對用于制造具有良好的磁性質的較厚的CoNiP膜的方法的需要。

發明內容

一種用于在襯底上形成CoNiP的方法包括以下步驟：在電鍍浴中放置襯底，該電鍍浴包含電鍍組合物，該電鍍組合物包括：鎳源；鈷源；和至少約0.1M的磷源；以及對該襯底施加沉積電流，其中對該襯底施加沉積電流將使具有至少約500納米的厚度的CoNiP層被電沉積在該襯底上。

一種用于在襯底上形成CoNiP的方法，包括以下步驟：在電鍍浴中放置襯底，該電鍍浴包含電鍍組合物，該電鍍組合物具有從約3到4的pH并且包括：鎳鹽；鈷鹽；以及至少約0.15M的NaH₂PO₂、KH₂PO₂、Ca(H₂PO₂)₂、Mg(H₂PO₂)₂、磷酸、或其組合；以及對該襯底施加至少約8mA/cm²的沉積電流，其中對該襯底施加沉積電流將使CoNiP在該襯底上被電沉積導至少約5微米的厚度。

一種制品，包括襯底；以及襯底上經電沉積的CoNiP層，其中該CoNiP具有從約25微米(μm)到約65微米的厚度，并且該CoNiP具有至少約0.2特斯拉(Tesla)的殘余磁通量。

通過閱讀下面的詳細描述，這些以及各種其它的特征和優點將會顯而易見。

附圖說明

考慮以下聯系附圖對本公開的各種實施例的詳細描述，能更完整地理解本公開，在附圖中：

圖1是對可在本文中利用的解說性電沉積系統的示意性描繪。

圖2是示出在示例3中獲得的M-H磁滯現象的圖表；以及

圖3A和3B是示例4中形成的制品的100X放大率(圖3A)和1500X放大率(圖3B)的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。

這些附圖不一定按比例示出。附圖中使用的相同數字表示相同部件。然而，將理解在給定附圖中使用數字來指代部件不旨在限制另一附圖中用同一數字標記的部件。

具體實施方式

在以下描述中，參照形成本說明書一部分的附圖集，其中通過圖示示出了若干特定實施例。應當理解的是，可構想并可作出其他實施例，而不背離本公開的范圍或精神。因此，以下詳細描述不應按照限定的意義來理解。

除非另外指明，否則在說明書和權利要求書中使用的表示特征大小、量、以及物理性質的所有數字應被理解為在任何情況下均由術語“約”修飾。因此，除非相反地指明，否則在上述說明書和所附權利要求中陳述的數值參數是近似值，這些近似值可根據利用本文中公開的示教的本領域技術人員所尋求獲得的期望性質而變化。

藉由端點對數值范圍的陳述包括歸入在該范圍內的所有數字(例如1到5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4以及5)以及該范圍內的任何范圍。

如本說明書以及所附權利要求書中所使用的，單數形式“一”、“某”以及“該”涵蓋具有復數引用物的實施例，除非該內容明確地指示并非如此。如本說明書以及所附權利要求書中所使用的，術語“或”一般以其包括“和/或”的意義來使用，除非該內容明確地指出并非如此。

“包括”、“包含”或類似術語表示涵蓋但不受限于，即表示包括但不排他。

本文中公開了在襯底上形成CoNiP的方法和包括具有特定性質的CoNiP的襯底。CoNiP可被表征為層、膜、沉積物、或其他類似的結構。所公開的方法是電沉積方法。電沉積方法使用電能和電位梯度來將陽離子沉積到襯底的導電部分上。諸方法可包括在電鍍浴中放置襯底和對該襯底施加沉積電流的步驟。