[發(fā)明專利]CoNiP膜的電沉積

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110308067.8
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102443826A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: V·文卡塔薩米;M·孫;I·塔巴科維克;M·X·唐
• 申請（專利權(quán)）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: C25D3/56
• 分類號: C25D3/56;H01F10/16
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳煒

1.一種在襯底上形成CoNiP的方法，包括以下步驟：

在電鍍浴中放置襯底，所述電鍍浴包含電鍍組合物，所述電鍍組合物包括：

鎳源；

鈷源；和

至少約0.1M的磷源；以及

對所述襯底施加沉積電流，

其中對所述襯底施加所述沉積電流將使具有至少約500納米的厚度的CoNiP層被電沉積在所述襯底上。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷源選自亞磷酸。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷源選自次磷酸鈉(NaH₂PO₂)、次磷酸鉀(KH₂PO₂)、次磷酸鈣(Ca(H₂PO₂)₂)、次磷酸鎂(Mg(H₂PO₂)₂)、或其組合。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷源具有至少約0.25M的濃度。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鎳源選自NiCl₂、NiBr₂、NiSO₄、Ni(SO₃NH₂)·4H₂O、Ni(BF₄)₂、及其組合。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鈷源選自CoCl₂、CoBr₂，CoSO₄、及其組合。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電鍍浴進(jìn)一步包括至少約0.5M的NaCl。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電鍍浴進(jìn)一步包括至少約1mM的糖精。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述電鍍浴具有小于約20mM的糖精濃度。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電鍍浴具有約為3的pH。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積電流為至少約8mA/cm²。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積電流為約10mA/cm²。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述CoNiP膜具有至少約1微米的厚度。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述CoNiP膜具有約5微米的厚度。

15.一種在襯底上形成CoNiP的方法，包括以下步驟：

在電鍍浴中放置襯底，所述電鍍浴包含電鍍組合物，所述電鍍組合物具有從約3到4的pH并且包括：

鎳鹽；

鈷鹽；和

至少約0.15M的NaH₂PO₂、KH₂PO₂、Ca(H₂PO₂)₂、Mg(H₂PO₂)₂、磷酸、或其組合；以及

對所述襯底施加至少約8mA/cm²的沉積電流，

其中對所述襯底施加所述沉積電流將使CoNiP在所述襯底上被電沉積到至少約5微米的厚度。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述鎳鹽選自約0.1M到0.3M的NiCl₂、NiBr₂、及其組合；并且所述鈷鹽選自約0.1M到0.3M的CoCl₂，CoBr₂、及其組合。