[發(fā)明專利]反射式電泳顯示裝置的畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110308058.9
• 申請日: 2011-10-12
• 公開（公告）號: CN102339794A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設計）人: 邱羨坤;林宜緯;鍾明宗;杜英宗
• 申請（專利權(quán)）人: 華映光電股份有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G02F1/167
• 代理公司: 福州元創(chuàng)專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

技術領域

本發(fā)明系關于一種電泳顯示裝置的畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種反射式電泳顯示裝置的畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法。?

背景技術

隨著科技的發(fā)展，各種類型的平面顯示裝置，例如液晶顯示器、有機發(fā)光二極管顯示器以及電漿顯示器等，已逐漸取代傳統(tǒng)的陰極射線管（cathode?ray?tube，CRT）顯示器。在近幾年中，顯示器業(yè)者另開發(fā)了電泳顯示裝置(又稱電子紙，Electronic?Paper)，以進一步提供更輕薄、柔軟與便于攜帶的顯示器。

一般而言，主動式矩陣（active?matrix）電泳顯示裝置通常包括薄膜晶體管（thin?film?transistor，TFT）矩陣設于畫素電極的下方，當一畫素區(qū)中的TFT的閘極被導通開啟時，會使畫素電極充電而使對應的帶電微粒子發(fā)生上升或下沈運動。傳統(tǒng)制作主動式矩陣電泳顯示裝置的步驟于形成薄膜晶體管的閘極、半導體層、薄膜晶體管的源極與汲極、保護層、光阻層、反射電極以及畫素電極時需花費光罩來進行圖案化制程，因此總共需花費七道光罩才能完成。然而，光罩的數(shù)量系影響著主動式矩陣電泳顯示裝置的制作成本，因此為了有效降低主動式矩陣電泳顯示裝置的制作成本，減少光罩的使用數(shù)量來制作出主動式矩陣電泳顯示裝置實為業(yè)界努力的目標。

發(fā)明內(nèi)容

?本發(fā)明的主要目的之一在于提供一種反射式電泳顯示裝置的畫素結(jié)構(gòu)及其制作方法，以減少光罩的使用數(shù)量，進而降低制作成本。

為達上述的目的，本發(fā)明提供一種制作反射式電泳顯示裝置的畫素結(jié)構(gòu)的方法。首先，提供一基板。接著，形成一第一金屬圖案層于基板上。隨后，形成一絕緣層于第一金屬圖案層與基板上。然后，形成一半導體圖案層與一第二金屬圖案層于絕緣層上。接著，覆蓋一保護層于基板、半導體圖案層與第二金屬圖案層上。其后，形成一有機光阻圖案層于保護層上，且有機光阻圖案層具有一第一接觸洞，曝露出保護層。隨后，以有機光阻圖案層為一屏蔽，移除曝露出的保護層，以于保護層中形成一第二接觸洞，并曝露出第二金屬圖案層。接著，形成一第三金屬圖案層于有機光阻圖案層與曝露出的第二金屬圖案層上。然后，形成一透明導電圖案層于第三金屬圖案層上，且透明導電圖案層覆蓋第三金屬圖案層。

為達上述的目的，本發(fā)明提供一種反射式電泳顯示裝置的畫素結(jié)構(gòu)。畫素結(jié)構(gòu)包括一基板、一薄膜晶體管、一有機光阻圖案層、一保護層、一金屬圖案層以及一透明導電圖案層。薄膜晶體管設于基板上，且薄膜晶體管具有一閘極、一源極以及一汲極。有機光阻圖案層設于基板與薄膜晶體管上，且有機光阻圖案層具有一第一接觸洞。保護層設于基板與有機光阻圖案層之間，且保護層具有一第二接觸洞，其中第一接觸洞對應于第二接觸洞。金屬圖案層設于有機光阻圖案層上，并透過第一接觸洞與第二接觸洞與汲極相接觸。透明導電圖案層設于金屬圖案層上。

本發(fā)明藉由半色調(diào)光罩來形成具有厚度不同的光阻圖案層，且利用有機光阻圖案層作為屏蔽來形成第二接觸洞，因此僅需五道光罩即可形成反射式電泳顯示裝置的畫素結(jié)構(gòu)，使光罩的使用數(shù)量可有效縮減，且制作成本得以降低。

附圖說明

圖1至圖9為本發(fā)明較佳實施例的制作反射式電泳顯示裝置的畫素結(jié)構(gòu)的方法示意圖。

圖10為本發(fā)明較佳實施例的反射式電泳顯示裝置的畫素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。

??【主要組件符號說明】

10????畫素結(jié)構(gòu)?????????????????????????10a????開口區(qū)

12????基板?????????????????????????????14?????第一金屬圖案層

14a???閘極?????????????????????????????14b????掃描線

14c???共通線???????????????????????????16?????絕緣層

18????半導體層?????????????????????????20?????第二金屬層

22????半色調(diào)光罩???????????????????????22a????透光區(qū)

22b???半透光區(qū)?????????????????????????22c????遮光區(qū)

24????光阻圖案層???????????????????????24a????第一厚度部

24b???第二厚度部???????????????????????26?????半導體圖案層