[發明專利]反射式電泳顯示裝置的畫素結構及其制作方法無效
| 申請號: | 201110308058.9 | 申請日: | 2011-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN102339794A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發明(設計)人: | 邱羨坤;林宜緯;鍾明宗;杜英宗 | 申請(專利權)人: | 華映光電股份有限公司;中華映管股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;G02F1/167 |
| 代理公司: | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡學俊 |
| 地址: | 350015 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反射 電泳 顯示裝置 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種制作反射式電泳顯示裝置的畫素結構的方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
形成一第一金屬圖案層于該基板上;
形成一絕緣層于該第一金屬圖案層與該基板上;
形成一半導體圖案層與一第二金屬圖案層于該絕緣層上;
覆蓋一保護層于該基板、該半導體圖案層與該第二金屬圖案層上;
形成一有機光阻圖案層于該保護層上,且該有機光阻圖案層具有一第一接觸洞,曝露出該保護層;
以該有機光阻圖案層為一屏蔽,移除曝露出的該保護層,以于該保護層中形成一第二接觸洞,并曝露出該第二金屬圖案層;
形成一第三金屬圖案層于該有機光阻圖案層與曝露出的該第二金屬圖案層上;以及
形成一透明導電圖案層于該第三金屬圖案層上,且該透明導電圖案層覆蓋該第三金屬圖案層。
2.?根據權利要求1所述的制作反射式電泳顯示裝置的畫素結構的方法,其特征在于:其中該第一接觸洞的寬度與該第二接觸洞的寬度相同。
3.?根據權利要求1所述的制作反射式電泳顯示裝置的畫素結構的方法,其特征在于:其中形成該半導體圖案層與該第二金屬圖案層的步驟包括:
依序形成一半導體層與一金屬層于該絕緣層上;
利用一半色調光罩,形成一光阻圖案層于該金屬層上,曝露出該金屬層,其中該光阻圖案層具有一第一厚度部與一第二厚度部,且該第一厚度部的厚度大于該第二厚度部的厚度;以及
以該光阻圖案層為一屏蔽,移除曝露出的該金屬層、該第二厚度部以及位于該第二厚度部下方的該金屬層與部分該半導體層,以形成該半導體圖案層以及該第二金屬圖案層。
4.?根據權利要求3所述的制作反射式電泳顯示裝置的畫素結構的方法,其特征在于:其中該第一金屬圖案層包括一閘極,且該第二厚度部系位于該閘極的正上方。
5.?根據權利要求1所述的制作反射式電泳顯示裝置的畫素結構的方法,其特征在于:其中于形成該有機光阻圖案層的步驟與移除曝露出的該保護層的步驟的間,該方法另包括烘烤該有機光阻圖案層。
6.?根據權利要求1所述的制作反射式電泳顯示裝置的畫素結構的方法,其特征在于:另包括覆蓋一電泳顯示薄膜(electrophoretic?display?film)于該透明導電圖案層上。
7.?根據權利要求1所述的制作反射式電泳顯示裝置的畫素結構的方法,其特征在于:另包括覆蓋一保護膜于該電泳顯示薄膜上。
8.?一種反射式電泳顯示裝置的畫素結構,其特征在于,包括:
一基板;
一薄膜晶體管,設于該基板上,且該薄膜晶體管具有一閘極、一源極以及一汲極;
一有機光阻圖案層,設于該基板與該薄膜晶體管上,且該有機光阻圖案層具有一第一接觸洞;
一保護層,設于該基板與該有機光阻圖案層之間,且該保護層具有一第二接觸洞,其中該第一接觸洞對應于該第二接觸洞;
一金屬圖案層,設于該有機光阻圖案層上,并透過該第一接觸洞與該第二接觸洞與該汲極相接觸;以及
一透明導電圖案層,設于該金屬圖案層上。
9.?根據權利要求8所述的反射式電泳顯示裝置的畫素結構,其特征在于:另包括一電泳顯示薄膜,設于該透明導電圖案層上。
10.?根據權利要求9所述的反射式電泳顯示裝置的畫素結構,其特征在于:另包括一保護膜,設于該電泳顯示薄膜上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





