[發明專利]柵極絕緣層、TFT、陣列基板、顯示裝置以及制備方法

有效

• 申請號: 201110306262.7
• 申請日: 2011-10-11
• 公開（公告）號: CN102629555A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 張金中
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283;H01L21/336;H01L21/77;H01L29/423;H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362;C23C16/44;C23C16/34
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種柵極絕緣層的制備方法，其特征在于，包括：

沉積第一氮化硅層和第二氮化硅層；

在所述第二氮化硅層上沉積氮摻雜非晶硅層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，沉積第一氮化硅層和第二氮化硅層，具體包括：

采用等離子增強化學氣相沉積法，按照射頻功率范圍為8000W～10000W，硅烷流量與氨氣流量比在0.2～0.4之間的條件，沉積厚度為之間的第一氮化硅層；

按照射頻功率范圍為4000W～5000W，硅烷流量與氨氣流量比在0.2～0.4之間的條件，在第一氮化硅層上沉積厚度為之間的第二氮化硅層。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在沉積第一氮化硅層和第二氮化硅層的過程中通入氮氣；

在所述第二氮化硅層上沉積氮摻雜非晶硅層，具體包括：

按照功率范圍為1000～2000W，硅烷流量在1000sccm～3000sccm之間，氨氣流量在50sccm～400sccm之間，硅烷流量與氨氣流量比在10～50之間，在開始沉積氮摻雜非晶硅層時終止氮氣通入的條件，在第二氮化硅層上沉積厚度為之間的氮摻雜非晶硅層。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，沉積氮摻雜非晶硅層的條件還包括：在開始沉積氮摻雜非晶硅層時通入氫氣。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，通入氫氣的流量在5000sccm～10000sccm之間。

6.如權利要求1～5任一所述的方法，其特征在于，

在沉積第二氮化硅層之后，且沉積氮摻雜非晶硅層之前，所述方法還包括：

對沉積的第二氮化硅層進行氫氣等離子體處理；

和/或

在沉積氮摻雜非晶硅層之后，所述方法還包括：

對沉積的氮摻雜非晶硅層進行氫氣等離子體處理。

7.一種薄膜晶體管制備方法，其特征在于，包括：

利用權利要求1～6任一所述的柵極絕緣層的制備方法來制備柵極絕緣層。

8.一種柵極絕緣層，其特征在于，所述柵極絕緣層包括：

第一氮化硅層，以及沉積在第一氮化硅層上的第二氮化硅層；

沉積在第二氮化硅層上的氮摻雜非晶硅層。

9.如權利要求8所述的柵極絕緣層，其特征在于，

所述第一氮化硅層的厚度為

所述第二氮化硅層的厚度為

所述氮摻雜非晶硅層的厚度為

10.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括權利要求8或9所述的柵極絕緣層。

11.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求10所述的薄膜晶體管。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求11所述的陣列基板。