[發明專利]影像傳感器結構

無效

• 申請號: 201110305668.3
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN102593135A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 張宇軒;金起弘;吳揚
• 申請（專利權）人: 英屬開曼群島商恒景科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

技術領域

本發明涉及影像傳感器結構，特別涉及使用至少一虛設通孔(dummy?via)或至少一虛設接觸孔(dummy?contact)的影像傳感器結構。

背景技術

公知的影像傳感器可能會有光學干擾(optical?crosstalk)的問題，其降低了影像的品質(解析度以及色彩精確度問題)。此處的光學干擾指原本欲進入某些特定像素的光進入鄰近的像素。然而，無法透過像素的布局(layout)來避免光學干擾的情況，因為像素布局是2D(2?dimensional)的，但實際的結構卻是3D(3?dimensional)的。通常會利用金屬布線的設計，以在感光度不會損失太多的情況下，改善光干擾的現象。然而，多晶硅以及不同的金屬布線間仍存在著相當大的間隙，使得光信號可能漏至其周邊區域，或對周邊區域造成干擾現象。

通孔和接觸孔可用以改善光干擾的現象，但僅能使用在兩層有交叉的地方。因此，通常僅有少數的通孔和接觸孔，而且這些通孔和接觸孔常無法在降低光學干擾最理想的位置。

圖1為公知影像傳感器結構的俯視圖。如圖1所示，會有多數接觸孔101、103、105和107(僅有部分被繪示)被設置于金屬線109和111之間。此外，亦有多數接觸孔109、111、113以及115(僅有部分被繪示)被設置于金屬線109以及導電區(未繪示，例如擴散區或多晶區域)之間。

圖2為圖1所示的影像傳感器結構的剖面圖。在圖2中，圖2(a)是對應剖面線AA’的剖面圖且圖2(b)是對應至剖面線BB’的剖面圖。如圖2(a)所示，在右側，因為有位于金屬線203和205間的接觸孔201，來自鄰近像素的光學信號NL會被阻擋。然而，在左側，因為沒有位于金屬線207和209間的接觸孔，來自鄰近像素的光學信號NL沒辦法被阻隔，因此會進入像素211而產生光學干擾。此外，由虛線所表示的所需光學信號L，由于入射角的關系會遺失掉。

同樣的，在圖2(b)中，在右側，因為有位于金屬線215和擴散層217間的通孔213，來自鄰近像素的光學信號NL會被阻擋。然而，在左側，因為沒有位于金屬線221和223間的通孔，來自鄰近像素的光學信號NL沒辦法被阻隔，因此會進入像素219而產生光學干擾。此外，所需光學信號L由于入射角的關系會遺失掉。

發明內容

其中一實施例揭露了一種影像傳感器結構，包含：像素；第一金屬線；第二金屬線，位于該第一金屬線之下；至少一虛設通孔，位于該第一金屬線和該第二金屬線之間，其中該第一金屬線和該第二金屬線未透過該通孔而彼此電性連接。

另一實施例揭露了一種影像傳感器結構，包含：像素；第一金屬線；第二金屬線，位于該第一金屬線之下；導電區，位于該第二金屬線之下；以及至少一虛設接觸孔，位于該第二金屬線和該導電區之間，其中該第二金屬線以及該導電區未透過虛設接觸孔彼此電性連接。

根據前述的實施例，虛設通孔和虛設接觸孔可被設置在適當的位置以避免不需要的鄰近像素信號進入像素。而且，所需的信號可被反射至像素。因此，公知技術中所提及的問題可有效地被改善。

附圖說明

圖1為公知影像傳感器結構的俯視圖。

圖2為圖1所示的影像傳感器結構的剖面圖。

圖3為根據本發明的一實施例的影像傳感器結構的俯視圖。

圖4、5、6為圖3所示的影像傳感器結構的剖面圖。

圖7為根據本發明的另一實施例的影像傳感器結構的俯視圖。

【主要元件符號說明】

101、103、105、107、109、112、113、115、201、507、621接觸孔

109、111、203、205、207、209、211、215、221、223金屬線

213、601通孔

217擴散層

219像素

301、303、305、307、401、403、405、603、605、607、609

虛設通孔

309、311、313、315、501、503、505、625、627、629

虛設接觸孔

314、316金屬層

409-415、611、613上金屬線

417、509-515、615、617、619下金屬線

517、623導電區

621接觸孔

623631導電區

具體實施方式