[發(fā)明專利]影像傳感器結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110305668.3 | 申請日: | 2011-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN102593135A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張宇軒;金起弘;吳揚 | 申請(專利權(quán))人: | 英屬開曼群島商恒景科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;王英 |
| 地址: | 開曼群*** | 國省代碼: | 開曼群島;KY |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 影像 傳感器 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種影像傳感器結(jié)構(gòu),包含:
像素;
第一金屬線;
第二金屬線,位于所述第一金屬線之下;
至少一虛設(shè)通孔,位于所述第一金屬線和所述第二金屬線之間,其中所述第一金屬線和所述第二金屬線未透過所述通孔而彼此電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),其中所述虛設(shè)通孔電性連接至所述第一金屬線和所述第二金屬線其中之一。
3.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),其中所述虛設(shè)通孔防止光進(jìn)入所述像素。
4.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),其中所述虛設(shè)通孔反射光來進(jìn)入所述像素。
5.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),其中至少兩個虛設(shè)通孔合并形成一虛設(shè)通孔側(cè)壁。
6.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),還包含位于所述第一金屬線和所述第二金屬線之間的至少一通孔,其中一虛設(shè)通孔以及一通孔合并形成一虛設(shè)通孔側(cè)壁。
7.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),還包含:
導(dǎo)電區(qū),位于所述第二金屬線之下;以及
至少一虛設(shè)接觸孔,位于所述第二金屬線和所述導(dǎo)電區(qū)之間,其中所述第二金屬線以及所述導(dǎo)電區(qū)未透過虛設(shè)接觸孔彼此電性連接。
8.如權(quán)利要求7所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),其中所述虛設(shè)接觸孔電性連接至所述第二金屬線和所述導(dǎo)電區(qū)其中之一。
9.如權(quán)利要求7所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),其中所述虛設(shè)接觸孔防止光進(jìn)入所述像素。
10.如權(quán)利要求7所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),其中所述虛設(shè)接觸孔反射光來進(jìn)入所述像素。
11.如權(quán)利要求7所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),其中所述虛設(shè)接觸孔為一擴散區(qū)或一多晶硅區(qū)。
12.如權(quán)利要求7所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),還包含位于所述第二金屬線以及所述導(dǎo)電區(qū)之間的至少一接觸孔,其中一虛設(shè)接觸孔以及一接觸孔合并形成一虛設(shè)接觸孔側(cè)壁。
13.一種影像傳感器結(jié)構(gòu),包含:
像素;
第一金屬線;
第二金屬線,位于所述第一金屬線之下;
導(dǎo)電區(qū),位于所述第二金屬線之下;以及
至少一虛設(shè)接觸孔,位于所述第二金屬線和所述導(dǎo)電區(qū)之間,其中所述第二金屬線以及所述導(dǎo)電區(qū)未透過虛設(shè)接觸孔彼此電性連接。
14.如權(quán)利要求13所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),其中所述虛設(shè)接觸孔電性連接至所述第二金屬線和所述導(dǎo)電區(qū)其中之一。
15.如權(quán)利要求13所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),其中所述虛設(shè)接觸孔防止光進(jìn)入所述像素。
16.如權(quán)利要求13所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),其中所述虛設(shè)接觸孔反射光來進(jìn)入所述像素。
17.如權(quán)利要求13所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),其中所述虛設(shè)接觸孔為一擴散區(qū)或一多晶硅區(qū)。
18.如權(quán)利要求7所述的影像傳感器結(jié)構(gòu),還包含位于所述第二金屬線以及所述導(dǎo)電區(qū)之間的至少一接觸孔,其中一虛設(shè)接觸孔以及一接觸孔合并形成一虛設(shè)接觸孔側(cè)壁。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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