[發明專利]噴淋頭清洗裝置

無效

• 申請號: 201110305184.9
• 申請日: 2011-10-10
• 公開（公告）號: CN103028560A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 葉芷飛;梁秉文
• 申請（專利權）人: 光達光電設備科技（嘉興）有限公司
• 主分類號: B08B1/04
• 分類號: B08B1/04;C23C16/455
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及化學氣相沉積(CVD)技術領域，特別涉及噴淋頭的清洗裝置。

背景技術

MOCVD(Metal-Organic?Chemical?Vapor?Deposition)是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延沉積工藝。它以III族、II族元素的有機化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長的源材料，以熱分解反應方式在基座上進行沉積工藝，生長各種III-V族、II-VI族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。

下面對現有的沉積工藝的原理進行說明。具體地，以MOCVD為例，請參考圖1所示的現有的沉積裝置的結構示意圖。

手套箱10內形成有相對設置的噴淋頭11和基座12。所述噴淋頭11內可以設置多個小孔，所述噴淋頭11用于提供源氣體。所述基座12上通常放置多片基片121，所述基片121的材質通常為價格昂貴的藍寶石。所述基座12的下方還形成有加熱單元13，所述加熱單元13對所述基片121進行加熱，使得所述基片121表面的溫度達到外延工藝需要的溫度。

在進行MOCVD工藝時，源氣體自噴淋頭11的小孔進入基座12上方的反應區域(靠近基片121的表面的位置)，所述基片121由于加熱單元13的熱輻射作用而具有一定的溫度，從而該溫度使得源氣體之間進行化學反應，從而在基片121表面沉積外延材料層。

由于噴淋頭11與基座121之間的具有一定的距離，部分源氣體之間會在沒有到達基片121之前就發生預反應，預反應的部分產物會導致噴淋頭11的表面沾污，并且基座12或基片121上的污染物在加熱過程中揮發，也可能導致噴淋頭11的表面沾污，從而一批基片121的沉積工藝完成后，需要對噴淋頭11的表面進行清洗，以保證噴淋頭11的表面的污染物不會對下一次沉積工藝產生影響。

現有技術通常利用相關技術人員采用手動方式清潔噴淋頭，由于缺少有效的噴淋頭的清洗裝置，使得噴淋頭表面的清洗效果不好。

發明內容

本發明實施例解決的問題是提供了一種噴淋頭清洗裝置，解決了噴淋頭的表面無法清洗的問題，避免噴淋頭表面的污染物對下一次沉積工藝的影響。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種噴淋頭清洗裝置，用于對噴淋頭的表面進行清洗，包括：

清洗刷，具有刷毛；

清洗刷機械手，用于夾持和移動清洗刷，使得所述清洗刷和/或刷毛能夠與噴淋頭的表面進行相對運動，利用該相對運動清洗噴淋頭的表面；

吸附裝置，用于吸附清洗過程中的污染物。

可選地，所述噴淋頭清洗裝置的工作方式為全自動控制方式，還包括：

機械手控制單元，用于控制所述清洗刷機械手，調整所述清洗刷機械手與所述噴淋頭的表面的相對運動的軌跡和速度。

可選地，所述機械手控制單元包括：

動力單元，用于提供動力，該動力使得所述清洗刷機械手和/或清洗刷能夠與所述噴淋頭的表面進行相對運動；

傳動單元，一段與所述動力單元相連接，用于接收來自動力單元的動力，另一端與所述清洗刷機械手相連接，將動力傳動至所述清洗刷機械手和/或清洗刷；

子控制單元，用于控制所述動力單元、傳動單元，通過所述動力單元、傳動單元控制所述清洗刷機械手和/或清洗刷的運動；

所述噴淋頭清洗裝置用于沉積設備，所述沉積設備包括：手套箱、傳輸腔室和裝載卸載腔室，所述噴淋頭位于所述手套箱內，所述手套箱與所述傳輸腔室和/或裝載卸載腔室相連通；所述清洗刷和清洗刷機械手位于所述手套箱內、傳輸腔室內、裝載卸載腔室內或手套箱外；

在沉積工藝完成后，所述子控制單元控制所述傳動單元和動力單元將所述清洗刷和清洗刷機械手移動至與所述噴淋頭的表面相對的位置，或所述子控制單元控制所述噴淋頭移動至噴淋頭的表面與所述清洗刷相對的位置，利用所述清洗刷對所述噴淋頭的表面進行清洗；在噴淋頭的清洗完成后，所述子控制單元還可用于控制所述噴淋頭的表面與所述清洗刷分離，將所述清洗刷和清洗刷機械手放置于手套箱內、手套箱外、裝載卸載腔室或傳輸腔室中。

可選地，還包括：

圖像采集單元，用于采集噴淋頭的表面的圖像；

圖像分析單元，用于對所述圖像采集單元采集到的圖像進行分析，判斷噴淋頭表面的潔凈度的情況；

反饋單元，用于根據圖像分析單元的分析結果，獲得控制信號，所述控制信號作為所述子控制單元的調整所述清洗刷機械手和清洗刷的相對運動的依據。