[發明專利]一種集成電路芯片的封裝方法

無效

• 申請號: 201110305082.7
• 申請日: 2011-10-11
• 公開（公告）號: CN102368493A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: 徐子旸
• 申請（專利權）人: 常熟市廣大電器有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L21/56
• 代理公司: 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234
• 代理人: 張利強

技術領域

本發明涉及一種芯片的封裝方法，尤其涉及一種易于實施且功能突出的集成電路芯片的封裝方法，屬于芯片封裝技術領域。

背景技術

在集成電路的制作中，芯片是通過晶圓制作、形成集成電路以及切割晶圓等步驟而獲得。在晶圓的集成電路制作完成之后，由晶圓切割所形成的芯片可以向外電性連接到承載器上；其中，承載器可以是引腳架或是基板，而芯片可以采用打線結合或覆晶結合的方式電性連接至承載器。如果芯片和承載器是以打線結合的方式電性連接，則進入到填入封膠的制作步驟以構成芯片封裝體。芯片封裝技術就是將芯片包裹起來，以避免芯片與外界接觸，防止外界對芯片的損害的一種工藝技術。空氣中的雜質和不良氣體，乃至水蒸氣都會腐蝕芯片上的精密電路，進而造成電學性能下降。不同的封裝技術在制造工序和工藝方面差異很大，封裝后對內存芯片自身性能的發揮也起到至關重要的作用。隨著光電、微電制造工藝技術的飛速發展，電子產品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發展，因此芯片元件的封裝形式也不斷得到改進。

隨著人們對電子產品功能要求的不斷提高，制造功能強大的高頻芯片逐漸成為當今研究的重要課題。高頻芯片在工作運行中會釋放一定量的電磁波，電磁波透過封裝體向外界釋放，容易造成周邊電子產品的電磁波干擾，影響其他電子產品的正常運行。

發明內容

針對上述需求，本發明提供了一種集成電路芯片的封裝方法，該封裝方法工序安排合理，芯片封裝易于實施，封裝性能突出，使封裝結構具有良好的電磁波屏蔽功能，有效降低對周邊電子產品的影響。?

本發明是一種集成電路芯片的封裝方法，該集成電路芯片的封裝方法主要包括如下步驟：a）安接芯片組，b）性能檢測，c）一次封裝，d）二次封裝，e）附金屬外殼，f）成品檢驗。

在本發明一較佳實施例中，所述的步驟a）中，芯片組采用覆晶的方式，以錫塊作為芯片的實體接觸點，使芯片組電性連接在電路板上。

在本發明一較佳實施例中，所述的步驟c）中，一次封裝采用熱噴涂工藝，該工藝可使封裝材料均勻的分布在芯片組上，其厚度易于控制，能對芯片組起到良好的保護作用。

在本發明一較佳實施例中，所述的一次封裝所采用的封裝材料主要由粘結劑、固化劑和稀釋劑組成，原材料按照一定的比例進行混合配制。

在本發明一較佳實施例中，所述的熱噴涂工藝主要通過噴槍噴淋工藝完成，其噴淋溫度控制在40℃-60℃；噴淋完畢，在30℃-40℃條件下固化。

在本發明一較佳實施例中，所述的步驟d）中，二次封裝材料的主要成分為硅膠，并含一定比例的金屬纖維絲。

在本發明一較佳實施例中，所述的金屬纖維絲與硅膠按一定比例充分混合，其中，金屬纖維絲的含量占總量的1.5%-2.5%，其材料一般選用含銅、鎳、鈦的合金或是不銹鋼。

在本發明一較佳實施例中，所述的步驟f）中，金屬外殼采用壓差吸附貼合的方式附著在封裝體外層，其厚度一般為0.1-0.2mm，材料可以是銅或鋁合金，并通過焊接工藝與電路板電性連接。

本發明揭示了一種集成電路芯片的封裝方法，該封裝方法工序安排合理，操作簡便，按照此法制得的芯片封裝體能有效屏蔽芯片工作時產生的電磁波，降低電磁波危害；同時，封裝工藝成本低，實用價值高，值得推廣。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：

圖1是本發明實施例集成電路芯片的封裝方法的步驟示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。

圖1是本發明實施例集成電路芯片的封裝方法的步驟示意圖；該集成電路芯片的封裝方法主要包括如下步驟：a）安接芯片組，b）性能檢測，c）一次封裝，d）二次封裝，e）附金屬外殼，f）成品檢驗。

具體實施步驟如下：

a）安接芯片組，芯片組采用覆晶的方式，以錫塊作為芯片的實體接觸點，使芯片組電性連接在電路板上；

b）性能檢測，主要檢測芯片與電路板的電連接性能，降低廢品率；

c）一次封裝，一次封裝采用熱噴涂工藝，該工藝可使封裝材料均勻的分布在芯片組上，其厚度易于控制，對芯片組起到良好的保護作用；其中，一次封裝所采用的封裝材料主要由粘結劑、固化劑和稀釋劑組成，其混合比例可以是60%：32%：8%，其熱噴涂工藝主要通過噴槍噴淋工藝完成，其噴淋溫度控制在40℃-60℃；噴淋完畢，在30℃-40℃條件下固化；