[發明專利]TFT陣列基板、液晶顯示面板及陣列基板制造方法

無效

• 申請號: 201110305025.9
• 申請日: 2011-10-10
• 公開（公告）號: CN102629581A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 薛艷娜;陳小川;黎蔚;王世君
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1339
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及液晶顯示面板制造領域，尤其涉及一種TFT陣列基板、液晶顯示面板及陣列基板制造方法。

背景技術

目前TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜場效應晶體管液晶顯示器)的液晶顯示面板，是由對盒成型的上下兩塊玻璃基板以及在其中間填充的液晶層構成。

為了控制盒厚，一般采用隔墊物進行支撐，其中，隔墊物主要放置在TFT陣列基板的非透光區域中。

在隔墊物放置后，當液晶面板受到外力擠壓時，位于TFT陣列基板上的隔墊物容易傾倒，傾倒后容易觸碰到TFT陣列基板上的取向膜或摻入到液晶層中，進而影響了液晶面板的顯示效果。

發明內容

本發明提供一種TFT陣列基板、液晶顯示面板及陣列基板制造方法，能夠防止隔墊物傾倒，提高了液晶面板的顯示效果。

為達到上述目的，本發明采用如下技術方案：

一種TFT陣列基板的制造方法，包括：

在形成有柵線、柵極、柵絕緣層的基板上涂布有源層；

在所述有源層上涂布數據金屬層，通過構圖工藝處理得到數據線、源極、漏極、半導體有源層和位于所述柵線上方的半導體有源層上的凹槽；

在所述數據線、源極、漏極上形成保護層；

在所述保護層上形成與所述漏極連接的像素電極層。

一種TFT陣列基板，包括：基板，和位于所述基板上的柵線、柵極、柵絕緣層、半導體有源層、數據線、源極、漏極、保護層，以及位于所述保護層上方的與所述漏極連接的像素電極層，所述柵線上方的半導體有源層上設有凹槽。

一種液晶顯示面板，包括對合成形的TFT陣列基板和彩膜基板，所述TFT陣列基板為上述的TFT陣列基板，其中，所述TFT陣列基板和所述彩膜基板之間的隔墊物位于所述TFT陣列基板的半導體有源層形成的凹槽內。

本發明提供的TFT陣列基板、液晶顯示面板和TFT陣列基板制造方法，利用形成數據線、源極、漏極的構圖工藝，同時在柵線上方的半導體有源層上形成凹槽，以便將TFT陣列基板和彩膜基板之間的隔墊物放置于該凹槽內，達到防止隔墊物傾倒的目的，提高液晶面板顯示效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例一提供的TFT陣列基板的一個像素區域結構示意圖；

圖2為圖1沿A-A向的剖視結構示意圖；

圖3為本發明實施例二提供的TFT陣列基板的制造方法流程示意圖；

圖4為本發明實施例二提供的TFT陣列基板的制造方法中完成步驟S301后的TFT陣列基板結構示意圖；

圖5為本發明實施例二提供的TFT陣列基板的制造方法中完成步驟S302后的TFT陣列基板結構示意圖；

圖6為本發明實施例二提供的TFT陣列基板的制造方法中完成步驟S303后的TFT陣列基板結構示意圖；

圖7為本發明實施例二提供的TFT陣列基板的制造方法中完成步驟S304后的TFT陣列基板結構示意圖；

圖8為本發明實施例二提供的TFT陣列基板的制造方法中完成步驟S305后的TFT陣列基板結構示意圖；

圖9為本發明實施例二提供的TFT陣列基板的制造方法中完成步驟S306后的TFT陣列基板結構示意圖；

圖10為本發明實施例二提供的TFT陣列基板的制造方法中完成步驟S307后的TFT陣列基板結構示意圖；

圖11為本發明實施例二提供的TFT陣列基板的制造方法中完成步驟S308后的TFT陣列基板結構示意圖；

圖12為本發明實施例二提供的TFT陣列基板的制造方法中完成步驟S309后的TFT陣列基板結構示意圖；

圖13為本發明實施例二提供的TFT陣列基板的制造方法中完成步驟S310后的TFT陣列基板結構示意圖；

圖14為本發明實施例三提供的液晶顯示面板的結構示意圖。

具體實施方式