[發明專利]TFT陣列基板、液晶顯示面板及陣列基板制造方法

無效

• 申請號: 201110305025.9
• 申請日: 2011-10-10
• 公開（公告）號: CN102629581A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 薛艷娜;陳小川;黎蔚;王世君
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1339
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在形成有柵線、柵極、柵絕緣層的基板上涂布有源層；

在所述有源層上涂布數據金屬層，通過構圖工藝處理得到數據線、源極、漏極、半導體有源層和位于所述柵線上方的半導體有源層上的凹槽；

在所述數據線、源極、漏極上形成保護層；

在所述保護層上形成與所述漏極連接的像素電極層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述有源層上涂布數據金屬層，通過構圖工藝處理得到數據線、源極、漏極、半導體有源層和位于所述柵線上方的半導體有源層上的凹槽包括：

在所述有源層上涂布數據金屬層；

在所述數據金屬層上涂布光刻膠；

利用灰色調掩摸板或半透式掩摸板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區域、光刻膠半保留區域和光刻膠完全去除區域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區域對應數據線、源極、漏極，所述光刻膠半保留區域對應除凹槽區域之外的半導體有源層，所述光刻膠完全去除區域對應所述像素單元中的光刻膠完全保留區域和所述光刻膠半保留區域之外的區域；

利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區域的數據金屬層和有源層；

利用等離子體灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區域的光刻膠；

利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠半保留區域的數據金屬層；

剝離掉所述光刻膠完全保留區域的光刻膠。

3.一種TFT陣列基板，包括：基板，和位于所述基板上的柵線、柵極、柵絕緣層、半導體有源層、數據線、源極、漏極、保護層，以及位于所述保護層上方的與所述漏極連接的像素電極層，其特征在于，所述柵線上方的半導體有源層上設有凹槽。

4.一種液晶顯示面板，包括對合成型的TFT陣列基板和彩膜基板，其特征在于，所述TFT陣列基板為權利要求3所述的TFT陣列基板，其中，所述TFT陣列基板和所述彩膜基板之間的隔墊物位于所述TFT陣列基板的半導體有源層形成的凹槽內。