[發(fā)明專利]基板處理裝置以及基板處理方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110302814.7 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102437050A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 真柄啟二;橋詰彰夫;太田喬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大日本網(wǎng)屏制造株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/311 | 分類號(hào): | H01L21/311 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅會(huì);郭曉東 |
| 地址: | 日本國(guó)京*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及處理基板的基板處理裝置以及基板處理方法。作為處理對(duì)象的基板例如包含半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、FED(Field?Emission?Display:場(chǎng)致發(fā)射顯示裝置)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、磁光盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體裝置和液晶顯示裝置等的制造工序中,根據(jù)需要,進(jìn)行向形成有氮化硅膜和氧化硅膜的基板的表面供給作為蝕刻液的高溫磷酸水溶液,從而選擇性地除去氮化硅膜的蝕刻處理。
在一次性處理多張基板的批量式基板處理裝置中,將多張基板在儲(chǔ)存有高溫的磷酸水溶液的處理槽中浸漬規(guī)定時(shí)間(例如,參照日本特開2007-258405號(hào)公報(bào))。
另一方面,在逐張?zhí)幚砘宓膯螐埵交逄幚硌b置中,將存儲(chǔ)在儲(chǔ)料容器中的高溫的磷酸水溶液通過配管供給噴嘴,并從噴嘴向保持在旋轉(zhuǎn)夾盤上的基板噴射(例如,參照日本特開2007-258405號(hào)公報(bào))。
在批量式的基板處理裝置中,為了進(jìn)行均勻的蝕刻處理,需要將基板在儲(chǔ)存于處理槽的磷酸水溶液中浸漬規(guī)定時(shí)間。因此,不管是在一次性處理多張基板的情況下,還是處理一張基板的情況下,都需要相同的處理時(shí)間。
另一方面,在單張式基板處理裝置中,能夠在短時(shí)間內(nèi)均勻地處理一張基板。但是,在單張式基板處理裝置中,在磷酸水溶液在配管內(nèi)和噴嘴內(nèi)流動(dòng)的期間,磷酸水溶液的熱被配管和噴嘴奪走,導(dǎo)致磷酸水溶液溫度降低。因此,溫度比儲(chǔ)料容器中的溫度低的磷酸水溶液被供給至基板。
選擇比(氮化硅膜除去量/氧化硅膜除去量)和氮化硅膜的蝕刻速度(單位時(shí)間的除去量)在供給至基板的磷酸水溶液的溫度在沸點(diǎn)附近時(shí)最高。但是,在單張式基板處理裝置中,即使將磷酸水溶液的溫度在儲(chǔ)料容器內(nèi)調(diào)整為沸點(diǎn)附近,但是,由于在從儲(chǔ)料容器到供給至基板的期間磷酸水溶液的溫度降低,因此,難以將沸點(diǎn)附近的磷酸水溶液供給至基板。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提供一種能夠抑制或防止供給至基板的處理液的溫度降低的基板處理裝置以及基板處理方法。
本發(fā)明的第一實(shí)施方式提供一種基板處理裝置,通過磷酸、硫酸和水的混合液來處理基板,該基板處理裝置具有:基板保持單元,其用于保持基板;混合液供給單元,其具有第一儲(chǔ)料容器和處理液的流通路,在上述第一儲(chǔ)料容器中儲(chǔ)存有要向被上述基板保持單元保持的基板進(jìn)行供給的處理液,上述流通路從上述第一儲(chǔ)料容器到達(dá)被上述基板保持單元保持的基板為止,在上述混合液供給單元中,通過向上述流通路供給磷酸、硫酸和水,使含有硫酸的液體和含有水的液體在上述流通路中相混合,從而使磷酸、硫酸和水的混合液的溫度升高,由此將包含沸點(diǎn)附近的磷酸水溶液的混合液供給至上述基板。
根據(jù)該發(fā)明,將磷酸(液體)、硫酸(液體)和水供給至從第一儲(chǔ)料容器到達(dá)被基板保持單元保持的基板的處理液的流通路。磷酸、硫酸和水可以從包括第一儲(chǔ)料容器的多個(gè)處理液供給源分別供給至流通路,也可以以與其他處理液混合了的狀態(tài)供給至流通路。具體而言,例如,既可以將磷酸水溶液和硫酸水溶液供給至流通路,也可以將磷酸、硫酸和水的混合液以及水供給至流通路。通過將磷酸、硫酸和水供給至流通路,能夠使含有硫酸的液體和含有水的液體在流通路中相混合。
硫酸通過被水稀釋,能夠產(chǎn)生稀釋熱。因此,通過將含有硫酸的液體和含有水的液體混合,來產(chǎn)生稀釋熱。磷酸、硫酸和水的混合液在流通路中通過該稀釋熱被加熱。因此,即使磷酸、硫酸和水的混合液的熱被配管或噴嘴等奪走,也由于該稀釋熱作用于該混合液,而能夠抑制或防止該混合液溫度降低。由此,混合液中含有的磷酸水溶液被加熱,將包含沸點(diǎn)附近的磷酸水溶液、即沸點(diǎn)的磷酸水溶液和/或沸點(diǎn)附近的溫度的磷酸水溶液的混合液供給至基板。
上述混合液供給單元還可以包括:第一噴嘴,其向被上述基板保持單元保持的基板噴出處理液;第一供給管,其用于流通從上述第一儲(chǔ)料容器向上述第一噴嘴供給的處理液。上述流通路可以包括上述第一供給管的內(nèi)部、上述第一噴嘴的內(nèi)部、上述第一噴嘴和被上述基板保持單元保持的基板之間的空間。
此時(shí),含有硫酸的液體和含有水的液體,在第一供給管的內(nèi)部、第一噴嘴的內(nèi)部、第一噴嘴和被基板保持單元保持的基板之間的、至少任一位置混合。即,含有硫酸的液體和含有水的液體是在即將向基板供給之前、或者是在向基板供給的同時(shí)混合。由此,可靠地將升溫了的磷酸、硫酸和水的混合液供給至基板。
另外,上述第一儲(chǔ)料容器可以儲(chǔ)存有含有磷酸、硫酸和水中的至少兩者的混合液。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
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