[發(fā)明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110302712.5
• 申請(qǐng)日: 2011-10-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102629580A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳小川;黎蔚;薛海林;徐宇博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示器的制造領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

在TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器)中，存儲(chǔ)電容是非常重要的一個(gè)參數(shù)，其作用是讓像素電極充電電壓能夠保持到下一幀的畫(huà)面信號(hào)到達(dá)。所以存儲(chǔ)電容的大小不僅關(guān)系到畫(huà)面的正常顯示，對(duì)畫(huà)面品質(zhì)也有很重要的作用。

傳統(tǒng)的存儲(chǔ)電容是在ITO(Indium?Tin?Oxides，銦錫金屬氧化物)像素電極層與柵金屬層之間形成。但為了避免柵極信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)之間相互干擾以及信號(hào)衰減，在制造過(guò)程中必須保證數(shù)據(jù)線保護(hù)層和柵絕緣層具有一定厚度，因此，ITO像素電極層與柵金屬層例如柵線之間的存儲(chǔ)電容的垂直距離比較大，要達(dá)到所需的存儲(chǔ)電容就需要較大的正對(duì)面積，這樣?xùn)啪€與ITO像素電極層的交疊區(qū)域就會(huì)加大，很大程度上影響了像素的開(kāi)口率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種TFT陣列基板及其制造方法，以解決像素開(kāi)口率低的問(wèn)題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一方面，提供一種TFT陣列基板制造方法，包括：

在基板上涂布柵金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝處理得到柵線、柵極和第一電容線；

在所述柵線、柵極、第一電容線上涂布柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體有源層；

在所述半導(dǎo)體有源層上涂布數(shù)據(jù)金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝處理得到數(shù)據(jù)線、源極、漏極，以及與所述漏極連接的第二電容線；其中，所述柵極、源極、漏極與所述半導(dǎo)體有源層構(gòu)成TFT，所述第二電容線與所述第一電容線相互對(duì)應(yīng)；

在所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極、第二電容線上涂布保護(hù)層，并在所述漏極上方形成過(guò)孔；

在所述保護(hù)層上形成像素電極層，所述像素電極層通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏極連接。

一方面，提供一種TFT陣列基板，包括：

基板；

所述基板上形成有柵線、柵極和第一電容線；

所述柵線、柵極和第一電容線上形成有柵絕緣層；

所述柵絕緣層上形成有半導(dǎo)體有源層；

所述半導(dǎo)體有源層上形成有數(shù)據(jù)線、源極、漏極和與所述漏極連接的第二電容線；其中，所述柵極、源極、漏極與所述半導(dǎo)體有源層構(gòu)成TFT，所述第二電容線與所述第一電容線相互對(duì)應(yīng)；

所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極、第二電容線上形成有保護(hù)層；

所述保護(hù)層上形成有像素電極層，所述像素電極層通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏極連接。

本發(fā)明提供的TFT陣列基板及其制造方法，在柵金屬層上形成有第一電容線，在數(shù)據(jù)金屬層上形成有與第一電容線相互對(duì)應(yīng)的第二電容線，由于柵金屬層和數(shù)據(jù)金屬層之間僅隔一層?xùn)沤^緣層，因此第一電容線與第二電容線之間的距離相較現(xiàn)有技術(shù)中的ITO像素電極層與柵線之間的距離而言，距離減小。因此，在總電容一定的前提下，電容之間的距離減小就會(huì)導(dǎo)致電容正對(duì)面積的減小，從而使得像素電極透光區(qū)域變大，像素開(kāi)口率變大。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法的流程示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖五。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。