[發明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法

無效

• 申請號: 201110302712.5
• 申請日: 2011-10-09
• 公開（公告）號: CN102629580A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 陳小川;黎蔚;薛海林;徐宇博
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種TFT陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

在基板上涂布柵金屬層，通過構圖工藝處理得到柵線、柵極和第一電容線；

在所述柵線、柵極、第一電容線上涂布柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成半導體有源層；

在所述半導體有源層上涂布數據金屬層，通過構圖工藝處理得到數據線、源極、漏極，以及與所述漏極連接的第二電容線；其中，所述柵極、源極、漏極與所述半導體有源層構成TFT，所述第二電容線與所述第一電容線相互對應；

在所述數據線、源極、漏極、第二電容線上涂布保護層，并在所述漏極上方形成過孔；

在所述保護層上形成像素電極層，所述像素電極層通過所述過孔與所述漏極連接。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一電容線位于像素電極區域的邊緣。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二電容線與所述第一電容線相互對應，位于像素電極區域的邊緣。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述像素電極層的一部分位于所述柵線上方。

5.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

所述基板上形成有柵線、柵極和第一電容線；

所述柵線、柵極和第一電容線上形成有柵絕緣層；

所述柵絕緣層上形成有半導體有源層；

所述半導體有源層上形成有數據線、源極、漏極和與所述漏極連接的第二電容線；其中，所述柵極、源極、漏極與所述半導體有源層構成TFT，所述第二電容線與所述第一電容線相互對應；

所述數據線、源極、漏極、第二電容線上形成有保護層；

所述保護層上形成有像素電極層，所述像素電極層通過所述過孔與所述漏極連接。

6.根據權利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一電容線位于所述像素電極層的邊緣。

7.根據權利要求5或6所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二電容線與所述第一電容線相互對應，位于所述像素電極層的邊緣。

8.根據權利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述像素電極層的一部分位于所述柵線上方。