[發明專利]一種耐高溫芯片封裝結構

無效

• 申請號: 201110302539.9
• 申請日: 2011-10-09
• 公開（公告）號: CN102368480A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: 徐軼群
• 申請（專利權）人: 常熟市華海電子有限公司
• 主分類號: H01L23/02
• 分類號: H01L23/02
• 代理公司: 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234
• 代理人: 張利強

技術領域

本發明涉及到芯片封裝領域，特別涉及到一種耐高溫芯片封裝結構。

背景技術

所謂的芯片就是IC，泛指所有的電子元器件，是在硅板上集合多種電子元器件實現某種特定功能的電路模塊。它是電子設備中最重要的部分，承擔著運算和存儲的功能。集成電路的應用范圍覆蓋了軍工、民用的幾乎所有的電子設備。

芯片封裝技術就是將內存芯片包裹起來，以避免芯片與外界接觸，防止外界對芯片的損害的一種工藝技術。空氣中的雜質和不良氣體，乃至水蒸氣都會腐蝕芯片上的精密電路，進而造成電學性能下降。不同的封裝技術在制造工序和工藝方面差異很大，封裝后對內存芯片自身性能的發揮也起到至關重要的作用。?隨著光電、微電制造工藝技術的飛速發展，電子產品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發展，因此芯片元件的封裝形式也不斷得到改進。芯片的封裝技術多種多樣，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，種類不下三十種，經歷了從DIP、TSOP到BGA的發展歷程。芯片的封裝技術已經歷了幾代的變革，性能日益先進，芯片面積與封裝面積之比越來越接近1，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，以及引腳數增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便。

申請號為201020119073的專利申請文件公開了一種抗高溫整流芯片，它包括整流基材，整流基材的頂端面上附著上金屬層，整流基材的底端面上附著下金屬層，整流基材上附著有半絕緣多晶硅膜，玻璃鈍化層附著在半絕緣多晶硅膜上，絕緣膜分別附著在玻璃鈍化層及半絕緣多晶硅膜上。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種耐高溫芯片封裝結構，能夠解決傳統芯片耐高溫性能不夠的問題。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種耐高溫芯片封裝結構，包括金屬框架、基體、芯片和真空隔熱罩；基體安裝于金屬框架的底部上，基體上焊接有芯片并連接芯片的正負極，所述金屬框架為兩側凸起的開口結構，其頂部設置有真空隔熱罩，所述透光真空隔熱罩覆蓋于金屬框架的兩個頂角并密封固定，真空隔熱罩和金屬框架所組成的密封空間中用惰性氣體填充。

在本發明的一個實施例中，所述金屬框架和基體之間設置有硅膠層，所述硅膠層的厚度為2mm。

在本發明的一個實施例中，所述真空隔熱罩采用石英砂高溫煅燒制成。

本發明的有益效果是：本發明結構簡單合理，設計緊湊巧妙，真空隔熱罩既能傳導光線，又能保護內部芯片，極大的延長了本發明的使用壽命，值得大規模市場推廣。

附圖說明

圖1是本發明所述的一種耐高溫芯片封裝結構的結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，本發明所述的本發明公開了一種耐高溫芯片封裝結構，包括金屬框架110、基體、芯片210和真空隔熱罩310；基體安裝于金屬框架110的底部上，基體上焊接有芯片210并連接芯片210的正負極，所述金屬框架110為兩側凸起的開口結構，其頂部設置有真空隔熱罩310，所述真空隔熱罩310覆蓋于金屬框架的兩個頂角并密封固定，真空隔熱罩310和金屬框架110所組成的密封空間中用惰性氣體填充。

所述金屬框架110和基體之間設置有硅膠層，所述硅膠層的厚度為2mm。所述真空隔熱罩310采用石英砂高溫煅燒制成。

本發明的有益效果在于：結構簡單合理，設計緊湊巧妙，真空隔熱罩既能傳導光線，又能保護內部芯片，極大的延長了本發明的使用壽命，值得大規模市場推廣。

以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。