[發(fā)明專(zhuān)利]分割方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110301306.7 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102446735A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 星野仁志;上野寬海;新田祐士;岡村卓 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社迪思科 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/304 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 黨曉林;王小東 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 分割 方法 | ||
1.一種藍(lán)寶石晶片的分割方法,其為沿分割預(yù)定線(xiàn)分割藍(lán)寶石晶片的藍(lán)寶石晶片的分割方法,所述藍(lán)寶石晶片在表面上層疊有發(fā)光層,并且在該發(fā)光層中,在由呈格子狀地形成的多個(gè)所述分割預(yù)定線(xiàn)劃分出的各區(qū)域形成有發(fā)光器件,該藍(lán)寶石晶片的分割方法的特征在于,
該藍(lán)寶石晶片的分割方法包括以下工序:
變質(zhì)層形成工序,在該變質(zhì)層形成工序中,通過(guò)從所述藍(lán)寶石晶片的背面?zhèn)妊厮龇指铑A(yù)定線(xiàn)照射相對(duì)于藍(lán)寶石晶片具有透射性的波長(zhǎng)的激光束,從而沿該分割預(yù)定線(xiàn)在藍(lán)寶石晶片內(nèi)部形成變質(zhì)層;
切削槽形成工序,在該切削槽形成工序中,利用切削刀具從所述藍(lán)寶石晶片的背面?zhèn)惹邢髟撍{(lán)寶石晶片,從而沿所述分割預(yù)定線(xiàn)形成切削槽,由此對(duì)所述發(fā)光器件實(shí)施倒角加工;以及
分割工序,在該分割工序中,在實(shí)施了所述變質(zhì)層形成工序和所述切削槽形成工序后,以所述變質(zhì)層作為分割起點(diǎn),沿所述分割預(yù)定線(xiàn)將所述藍(lán)寶石晶片分割為一個(gè)個(gè)的發(fā)光器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石晶片的分割方法,其中,
在所述切削槽形成工序之前還包括預(yù)備槽形成工序,在該預(yù)備槽形成工序中,通過(guò)對(duì)所述藍(lán)寶石晶片照射相對(duì)于該藍(lán)寶石晶片具有吸收性的波長(zhǎng)的激光束來(lái)實(shí)施燒蝕加工,從而從所述藍(lán)寶石晶片的背面?zhèn)妊厮龇指铑A(yù)定線(xiàn)形成預(yù)備槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石晶片的分割方法,其中,
在實(shí)施了所述切削槽形成工序后,實(shí)施所述變質(zhì)層形成工序。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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