[發明專利]分割方法有效
| 申請號: | 201110301306.7 | 申請日: | 2011-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN102446735A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | 星野仁志;上野寬海;新田祐士;岡村卓 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 黨曉林;王小東 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分割 方法 | ||
技術領域
本發明涉及將發光器件用晶片分割為一個個發光器件的分割方法,特別涉及到分割藍寶石晶片的分割方法。
背景技術
作為發光二極管(LED:Light?Emitting?Diode)等發光器件,已知在藍寶石層的表面層疊發光層而成的發光器件(例如,參考專利文獻1)。該發光器件通過將在藍寶石基板的表面層疊有發光層的一塊藍寶石晶片沿分割預定線分割為多份而被制造出來。作為該藍寶石晶片等發光器件晶片的分割方法,已知采用激光加工的分割方法(例如,參考專利文獻2、專利文獻3)。
專利文獻2記載的分割方法為,利用脈沖激光束在晶片表面形成沿著分割預定線的激光加工槽,通過對激光加工槽施加外力來分割晶片。此外,專利文獻3記載的分割方法為,利用具有透射性的脈沖激光束在晶片內部形成沿著分割預定線的連續的變質層,通過對強度降低了的變質層施加外力來分割晶片。
專利文獻1:日本特開平10-056203號公報
專利文獻2:日本特開平10-305420號公報
專利文獻3:日本專利第3408805號公報
另外,在上述的發光器件中,由發光層放射到藍寶石層的光線從藍寶石層射出到空氣中。然而,由于藍寶石的折射率比空氣大得多,因此存在著光線無法高效地從藍寶石層射出的問題。這是因為,當光線相對于藍寶石層-空氣邊界的入射角大于臨界角度(34.5°)時,在該邊界發生全反射,從而光線被封閉在藍寶石層中。
發明內容
本發明正是鑒于該情況而作出的,其目的在于提供一種分割方法,能夠提高通過藍寶石晶片的分割而形成的發光器件的輝度。
本發明的分割方法提供一種藍寶石晶片的分割方法,其為沿分割預定線分割藍寶石晶片的藍寶石晶片的分割方法,所述藍寶石晶片在表面上層疊有發光層,并且在該發光層中,在由呈格子狀地形成的多個所述分割預定線劃分出的各區域形成有發光器件,該藍寶石晶片的分割方法包括以下工序:變質層形成工序,在該變質層形成工序中,通過從所述藍寶石晶片的背面側沿所述分割預定線照射相對于藍寶石晶片具有透射性的波長的激光束,從而沿該分割預定線在藍寶石晶片內部形成變質層;切削槽形成工序,在該切削槽形成工序中,利用切削刀具從所述藍寶石晶片的背面側切削該藍寶石晶片,從而沿所述分割預定線形成切削槽,由此對所述發光器件實施倒角加工;以及分割工序,在該分割工序中,在實施了所述變質層形成工序和所述切削槽形成工序后,以所述變質層作為分割起點,沿所述分割預定線將所述藍寶石晶片分割為一個個的發光器件。
根據該結構,通過在切削槽形成工序中沿分割預定線在藍寶石晶片形成切削槽,從而對在分割工序中分割藍寶石晶片而形成的一個個的發光器件的角部進行倒角。通過該倒角來在發光器件的背面側形成多邊形狀的外形面,從而在器件內被反射的光線容易射出,能夠提高發光器件的輝度。另外,此處所謂的倒角并不限于將發光器件的角部加工成斜面狀的情況,也可以將角部加工成能夠抑制角度保持(角度保存)的形狀,例如曲面形狀。
優選的是,本發明的分割方法在所述切削槽形成工序之前還包括預備槽形成工序,在該預備槽形成工序中,通過照射激光束來實施燒蝕加工,從而從所述藍寶石晶片的背面側沿所述分割預定線形成預備槽。
此外,本發明為,在上述分割方法中,在通過所述切削槽形成工序形成了所述切削槽后,通過所述變質層形成工序形成所述變質層。
根據本發明,通過在作為分割起點的分割預定線上形成切削槽,并將藍寶石晶片分割為一個個的發光器件,能夠使來自各器件的發光層的光線容易射出到外部,從而能夠使輝度提高。
附圖說明
圖1是示出本發明涉及的分割方法的實施方式的圖,是切削裝置的立體圖。
圖2是示出本發明涉及的分割方法的實施方式的圖,是激光加工裝置的立體圖。
圖3是示出本發明涉及的分割方法的實施方式的圖,是帶擴張裝置的立體圖。
圖4是示出本發明涉及的分割方法的實施方式的圖,是發光器件的側視圖。
圖5是示出本發明涉及的分割方法的實施方式的圖,是分割方法的說明圖。
圖6是示出本發明涉及的分割方法的實施方式的圖,是刀具寬度與激光點直徑的關系的說明圖。
圖7是示出本發明涉及的分割方法的實施方式的圖,是切削刀具的刀具寬度與輝度的關系的說明圖。
圖8是示出本發明涉及的分割方法的變形例的圖,是分割方法的說明圖。
圖9是示出本發明涉及的分割方法的另一變形例的圖,是分割方法的說明圖。
標號說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





